| 講演名 | 2005-06-24 GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般) 丸山 武男, プルームウォンロート タノーム, 八木 英樹, 三浦 幸治, 西本 頼史, 荒井 滋久, |
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| 抄録(和) | 電子ビーム露光法とメタン・水素反応性イオンエッチング、及び有機金属気相成長法による埋め込み再成長を用いて、量子細線を共振器方向に平行および垂直に配置した歪補償量子細線レーザを作製した。室温パルス測定を行った結果、共振器方向に対して量子細線が平行に配置されているレーザの方が垂直に配置されているレーザよりしきい値電流が約2倍高い値を示した。そこで、両レーザをHakki-Paoli法を用いて利得を求めたところ、注入電流量による傾きが5倍大きいことから、この違いは、量子細線の利得異方性によるものであることがわかった。 |
| 抄録(英) | GaInAsP/InP quantum-wire lasers consisting of strain-compensated quantum-wire active regions, laid on parallel and perpendicular to cavity direction, were fabricated by electron beam lithography, CH_4/H_2-reactive ion etching and organometallic vapor-phase-epitaxial regrowth. The threshold current of the quantum-wire laser laid on parallel to the cavity is two times higher than that of perpendicular to the cavity. It was found that the differential gain in parallel layout was approximately 5 times higher than that in perpendicular layout from gain spectral measurements by Hakki-Paoli method. Hence the anomalous lasing characteristics are attributed to this anisotropic gain property. |
| キーワード(和) | 量子細線レーザ / 材料利得 / 歪補償量子井戸 / OMVPE再成長 |
| キーワード(英) | Quantum-Wire Laser / Material Gain / GaInAsP/InP / Strain-Compensated Quantum-Well / CH_4/H_2-RIE / OMVPE Regrowth |
| 資料番号 | OPE2005-17,LQE2005-16 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2005/6/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaInAsP/InP歪量子細線レーザの利得異方性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Anisotropic Gain in GaInAsP/InP Strained Quantum-Wire Lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子細線レーザ / Quantum-Wire Laser |
| キーワード(2)（和/英） | 材料利得 / Material Gain |
| キーワード(3)（和/英） | 歪補償量子井戸 / GaInAsP/InP |
| キーワード(4)（和/英） | OMVPE再成長 / Strain-Compensated Quantum-Well |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 丸山 武男 / Takeo MARUYAMA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構 Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:JST-CREST |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | プルームウォンロート タノーム / Dhanorm PLUMWONGROT |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 八木 英樹 / Hideki YAGI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構 Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:JST-CREST |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三浦 幸治 / Koji MIURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 西本 頼史 / Yoshifumi NISHIMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 荒井 滋久 / Shigehisa ARAI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学量子ナノエレクトロニクス研究センター:科学技術振興機構 Quantum Nanoelectronics Research Center, Tokyo Institute of Technology:JST-CREST |
| 発表年月日 | 2005-06-24 |
| 資料番号 | OPE2005-17,LQE2005-16 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 143 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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