| 講演名 | 2005-01-28 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般) 鈴木 信夫, 飯塚 紀夫, 金子 桂, |
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| 抄録(和) | 不均一スペクトル拡がりや2次元モード分布等の影響も考慮したGaN系サブバンド間遷移光スイッチのシミュレータを開発し, 実験結果と比較検討を行った. 試作素子の特性は, 長すぎた吸収ピーク波長や, 転位に起因する過剰損失により制限されていた. これらを改善すれば, スイッチングエネルギーを現状のリッジ構造で10pJ程度まで, サブミクロン寸法のハイメサ構造で1pJ程度まで低減できるものと期待される. 実験で得られた光ゲート幅(～360fs)はポンプ光のパルス幅により制限されており, イントリンシックな応答速度は100fsオーダーである. |
| 抄録(英) | A simulator for GaN intersubband transition optical switches has been developed. Influences of the inhomogeneous broadening and the 2-dimensional mode profile have been taken into consideration. Characteristics of the fabricated switch were limited by a longer absorption peak wavelength and by excess loss due to the dislocations. When they are improved, the switching pulse energy will be reduced to about 10 pJ for ridge waveguides and about 1 pJ for sub-micron high-mesa waveguides. The measured optical gate width (～360 fs) is limited by the widths of the pump pulses, and the intrinsic response time is about 100fs. |
| キーワード(和) | 光スイッチ / サブバンド間遷移 / 吸収飽和 / GaN / FDTD |
| キーワード(英) | Optical Switch / Intersubband Transition / Saturable Absorption / GaN / FDTD |
| 資料番号 | PN2004-98,OFT2004-104,OPE2004-205,LQE2004-152 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2005/1/21(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 超高速GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチのシミュレーション(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulation of Ultrafast GaN/AlN Intersubband-Transition Optical Switches |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光スイッチ / Optical Switch |
| キーワード(2)（和/英） | サブバンド間遷移 / Intersubband Transition |
| キーワード(3)（和/英） | 吸収飽和 / Saturable Absorption |
| キーワード(4)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(5)（和/英） | FDTD / FDTD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 鈴木 信夫 / Nobuo SUZUKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corp. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 飯塚 紀夫 / Norio IIZUKA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corp. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 金子 桂 / Kei KANEKO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)東芝 研究開発センター Corporate R&D Center, Toshiba Corp. |
| 発表年月日 | 2005-01-28 |
| 資料番号 | PN2004-98,OFT2004-104,OPE2004-205,LQE2004-152 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 611 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |