| 講演名 | 2004-12-03 InAs量子ドットマイクロディスクレーザの室温発振特性(半導体レーザ関連技術,及び一般) 井手 利英, 馬場 俊彦, 館林 潤, 岩本 敏, 中岡 俊裕, 荒川 泰彦, |
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| 抄録(和) | InAs量子ドットを活性層にもつ空気クラッド光閉じ込め構造のマイクロディスクレーザを製作した.ドット層数を5層に増加し,利得を増大させることで,フェムト秒パルス光励起による室温発振を得た.3Kから室温までの温度依存性を測定し,非発光再結合と内部吸収損失に起因する特性劣化を観測した.そこでディスク側壁の垂直性を改善し,Q値を向上させた.その結果,通常の空気クラッドの量子ドットディスクで初の室温CW発振を得た.発振波長は1.28μm,しきい値照射パワーは410μW,励起効率を考慮した実効しきい値は81μWであった. |
| 抄録(英) | We fabricated InAs quantum-dot (QD) microdisk lasers (MDLs) with air-claddings. The room temperature (RT) lasing by femtosecond pulsed photopumping was achieved due to the sufficient gain in QD layers. The temperature dependence from 3 K to RT showed the degradation of the lasing characteristics, which was caused by the nonradiative recombination and internal absorption. By making the disk sidewall to be vertical, the cavity Q factor was increased, and the RT cw lasing was first achieved in the QD MDL with air claddings. The lasing wavelength was 1.28 μm, the irradiated threshold pump power was 410 μW, and the effective threshold power considering the absorption efficiency was estimated to be 81μW. |
| キーワード(和) | 量子ドット / マイクロディスク / マイクロレーザ / 半導体レーザ |
| キーワード(英) | Quantum dot / Microdisk / Microlaser / Semiconductor laser |
| 資料番号 | LQE2004-120 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2004/11/26(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InAs量子ドットマイクロディスクレーザの室温発振特性(半導体レーザ関連技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Room Temperature Lasing Characteristics in InAs Quantum-Dot Microdisk |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / Quantum dot |
| キーワード(2)（和/英） | マイクロディスク / Microdisk |
| キーワード(3)（和/英） | マイクロレーザ / Microlaser |
| キーワード(4)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor laser |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井手 利英 / Toshihide IDE |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学工学研究院 Department of Electrical and Computer Engineering, Yokohama Natianal University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 馬場 俊彦 / Toshihiko BABA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学工学研究院 Department of Electrical and Computer Engineering, Yokohama Natianal University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 館林 潤 / Jun TATEBAYASHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 岩本 敏 / Satoshi IWAMOTO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 中岡 俊裕 / Toshihiro NAKAOKA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 荒川 泰彦 / Yasuhiko ARAKAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所 Institute of Industrial Science, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2004-12-03 |
| 資料番号 | LQE2004-120 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 484 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |