| 講演名 | 2004/10/15 サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 飯田 一喜, 春日井 秀紀, 三島 俊介, 三宅 泰人, 本塩 彰, 川島 毅士, 津田 道信, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | 無極性面であるGaN(112^-0)面が成長するサファイアR面上にLEDを作製できることは既に報告されている。我々は、サファイアR面上の成長条件を精査し、2μm程度で高品質な結晶を実現し、その結晶を下地結晶として紫色LEDを作製した。その結果として、動作電圧6V(DC20mA) 、発光波長413nmという特性を得た。 |
| 抄録(英) | It is well known that non-polar A-plane group III nitrides film can be grown on the R-plane sapphire substrate. In this report, we scrutinized the growth conditions on the R-plane sapphire, and realized the device quality crystal with a thickness of about 2μm. As the result, the violet LED having characteristics of operation voltage 6V (DC20mA) and the luminescence wavelength of 413nm was obtained. |
| キーワード(和) | GaN / R-plane sapphire / LED |
| キーワード(英) | GaN / R-plane sapphire / LED |
| 資料番号 | ED2004-152,CPM2004-126,LQE2004-90 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2004/10/15(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | サファイアR面上に作製した紫色LED(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Violet LED fabricated on R-plane sapphire |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | R-plane sapphire / R-plane sapphire |
| キーワード(3)（和/英） | LED / LED |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 飯田 一喜 / K. Iida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 春日井 秀紀 / H. Kasugai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 三島 俊介 / S. Mishima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三宅 泰人 / Y. Miyake |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 本塩 彰 / A. Honshio |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 川島 毅士 / T. Kawashima |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 津田 道信 / M. Tsuda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー:京セラ株式会社 Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / M. Iwaya |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / S. Kamiyama |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / H. Amano |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / I. Akasaki |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科,名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 発表年月日 | 2004/10/15 |
| 資料番号 | ED2004-152,CPM2004-126,LQE2004-90 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 362 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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