| 講演名 | 2004/10/15 MOCVD法によるAl混晶上の高品質III-VN混晶(GaInNAs,GaInNP)成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 高橋 孝志, 佐藤 俊一, 軸谷 直人, 上西 盛聖, 原 敬, 佐藤 史朗, |
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| 抄録(和) | 窒素(N)と他のV族元素を同時に含む混晶半導体(III-VN混晶)は、長波長レーザや太陽電池,HBT等への応用が期待されており魅力的な新規材料である。我々は、GaInNAsやGaInNPといったIII-VN混晶をAlを含む混晶上にMOCVD法で成長するさいに結晶性が低下する原因について調べた。III-VN混晶をAlを含む混晶上に直接成長すると、界面にNの偏析が生じ表面平坦性や発光効率を低下させることがわかった。また、III-VN混晶中にAlが混入し、Alと反応してIII-VN混晶中に取り込まれた酸素(O)が発光効率を低下させることがわかった。素子構造と結晶成長条件を最適化することにより、AlGaAsクラッドGaInNAs TQWレーザにおいて1.3μm帯GaInNAs系LDにおける最低開催発振(120A/cm^2/well)が得られ、MOCVD法によりAlを含む混晶上に高品質のIII-VN混晶が結晶成長可能であることを示した。 |
| 抄録(英) | The mixed group-V nitride alloy semiconductor (III-VN alloy) is attractive novel material for long wavelength laser, solar cell, and HBT. We have studied the cause of crystalline quality degradation of the III-VN alloys such as GaInNAs and GaInNP grown on the Al containing layer by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Directly grown III-VN alloy on Al containing layer shows rough surface morphology and low photoluminescence intensity in the cause of nitrogen pile up at the interface. Al contamination into the III-VN alloy was detected and the oxygen incorporated the III-VN alloy by reacting with the Al caused the degradation of the emission efficiency. By optimizing the device structure and growth conditions, the lowest threshold current density per well (120A/cm^2/well) for 1.3 μm range GaInNAs laser was demonstrated at the GaInNAs triple quantum well (TQW) lasers on AlGaAs cladding layer. It was indicated that high-quality III-VN alloy growth on Al containing layer was enable by MOCVD. |
| キーワード(和) | MOCVD / III-VN混晶 / GaInNAs / GaInNP |
| キーワード(英) | MOCVD / III-VN alloy / GaInNAs / GalnNP |
| 資料番号 | ED2004-141,CPM2004-115,LQE2004-79 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2004/10/15(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOCVD法によるAl混晶上の高品質III-VN混晶(GaInNAs,GaInNP)成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-quality III-VN alloys (GaInNAs,GaInNP) on Al containing layers grown by MOCVD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(2)（和/英） | III-VN混晶 / III-VN alloy |
| キーワード(3)（和/英） | GaInNAs / GaInNAs |
| キーワード(4)（和/英） | GaInNP / GalnNP |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 孝志 / Takashi TAKAHASHI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)リコー研究開発本部中央研究所 Research and Development Center, Research & Development Group, Ricoh Company Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 俊一 / Shunichi SATO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)リコー研究開発本部中央研究所 Research and Development Center, Research & Development Group, Ricoh Company Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 軸谷 直人 / Naoto JIKUTANI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)リコー研究開発本部中央研究所 Research and Development Center, Research & Development Group, Ricoh Company Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上西 盛聖 / Morimasa KAMINISHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)リコー研究開発本部中央研究所 Research and Development Center, Research & Development Group, Ricoh Company Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 原 敬 / Kei HARA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | (株)リコー研究開発本部中央研究所 Research and Development Center, Research & Development Group, Ricoh Company Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 佐藤 史朗 / Shiro SATOH |
| 第 6 著者 所属（和/英） | (株)リコー研究開発本部中央研究所 Research and Development Center, Research & Development Group, Ricoh Company Ltd. |
| 発表年月日 | 2004/10/15 |
| 資料番号 | ED2004-141,CPM2004-115,LQE2004-79 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 362 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |