| 講演名 | 2004/10/14 ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 嘉数 誠, 山内 喜晴, /, 牧本 俊樹, |
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| 抄録(和) | 高品質ダイヤモンドCVD薄膜を用いて,p型ダイヤモンドMESFET(ゲート長0.2μm)を作製した。高周波特性(f_T=25GHz,f_ |
| 抄録(英) | Diamond p-type FET with a gate length of 0.2 μm was fabricated using high-quality CVD thin layer. Its RF cut-off frequency (f_T= 25 GHz, f_ |
| キーワード(和) | ダイヤモンド / FET / 遮断周波数 / マイクロ波 / 高周波出力電力 / 高周波雑音指数 |
| キーワード(英) | Diamond / FET / Cut-off frequency / Microwave / RF output power level / RF noise figure |
| 資料番号 | ED2004-134,CPM2004-108,LQE2004-72 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ダイヤモンドMESFETのマイクロ波帯増幅特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Microwave Performance of Diamond MESFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダイヤモンド / Diamond |
| キーワード(2)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(3)（和/英） | 遮断周波数 / Cut-off frequency |
| キーワード(4)（和/英） | マイクロ波 / Microwave |
| キーワード(5)（和/英） | 高周波出力電力 / RF output power level |
| キーワード(6)（和/英） | 高周波雑音指数 / RF noise figure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 嘉数 誠 / Makoto KASU |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社,NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山内 喜晴 / Yoshiharu YAMAUCHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社,NTT物性科学基礎研究所 NTT Basic Research Laboratories, NTT Corporation |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | / / Michal KUBOVIC |
| 第 3 著者 所属（和/英） | / Department of Electronic Devices and Circuits, University of Ulm |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 牧本 俊樹 / Erhard KOHN |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社,NTT物性科学基礎研究所 Department of Electronic Devices and Circuits, University of Ulm |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-134,CPM2004-108,LQE2004-72 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 361 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |