| 講演名 | 2004/10/14 ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 淀 徳男, 山本 高裕, 高山 智行, |
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| 抄録(和) | 常温で準安定相であるInNの立方晶構造の研究の歴史は浅く、その物性値等はまだ解明されていないが立方晶としての結晶自体の対称性が六方晶よりも高いため、バンドの異方性がなく、キャリアに対する散乱が小さく、将来の高速電子デバイス開発における優位性が期待される。本稿では、ECRプラズマアシストMBE法を用いて、GaAs(001)基板上へのInNの結晶成長を行ない、直接成長において立方晶In甲の形成、および実効的なV/III比による影響を明らかとしたoしかし、その結晶成長プロセスには立方晶InNの品質面や六方晶・立方晶の混在プロセスなど多くの不明瞭な点がある。我々は立方晶InNの成長過程の解明、および立方晶InNの高品質化を達成するために最適な成長条件を調べることが重要である。 |
| 抄録(英) | The research on cubic-InN, quasi-stable phase of InN, has been just started, so that their fundamental material properties have not been clarified yet. However, it is easily imagined that less carriers scatter in cubic-InN since cubic-InN has symmetry on crystal and band structure higher than hexagonal-InN. Therefore, realization of high-mobility electron device will be expected in the future. We grew cubic-InN films on GaAs(001) substrates and investigated the influences of effective V/III ratio during growth. However, many unclear points (for example, mixture of hexagonal-InN grains or/and problem of quality) were still left in growth process of cubic-InN. It is urgently important to investigate growth process of cubie-InN and clarify the optimum growth conditions. |
| キーワード(和) | 立方晶InN / 六方晶InN / ECRプラズマアシストMBE法 / GaAs(001)基板 |
| キーワード(英) | Cubic-InN / hexagonal-InN / ECR plasma assist MBE / GaAs(001)substratum |
| 資料番号 | ED2004-130,CPM2004-104,LQE2004-68 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ECRプラズマMBE法によるGaAs基板上立方晶InNの結晶成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Cubic-InN films on GaAs substrates grown by ECR-plasma assisted MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 立方晶InN / Cubic-InN |
| キーワード(2)（和/英） | 六方晶InN / hexagonal-InN |
| キーワード(3)（和/英） | ECRプラズマアシストMBE法 / ECR plasma assist MBE |
| キーワード(4)（和/英） | GaAs(001)基板 / GaAs(001)substratum |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 淀 徳男 / Tokuo YODO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 山本 高裕 / Takahiro YAMAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高山 智行 / Tomoyuki TAKAYAMA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-130,CPM2004-104,LQE2004-68 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 361 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |