| 講演名 | 2004/10/14 MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) 周 逸凱, 金 武成, 木村 重哉, 崔 誠佑, 江村 修一, 長谷川 繁彦, 朝日 一, |
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| 抄録(和) | 分子線エピタキシー法を用いて成長したCF、Mn、Gd、Dyの遷移金属及び希土類元素添加のGaNに対し、それらの光学、磁気特性などを研究した。遷移金属添加のGaNでは,GaCrNの方がGaMnNよりも良好な特性であり、強磁性転移温度は400K以上である。しかも,GaCrNから強力なフォトルミネセンス(PL)発光も観測され、光る高温強磁性半導体とも言える。希土類元素Gd及びDy添加のGaNにおいては、f電子の内殻遷移による発光が観察されたと同時に、GaGdNを始めとする試料からは室温以上の強磁性成分が観察された。本研究では、初めて、GaCrN/GaN/GaCrN三層構造を作製し、その磁気抵抗効果を確認した。 |
| 抄録(英) | We have studied magnetic and optical properties of transition-metal (Cr, Mn) and rare-earth (Gd, Dy) doped GaN grown by radio frequency molecular beam epitaxy (RF-MBE). GaCrN showed the ferromagnetic characteristics at 7-400K. We observed the PL emission from GaCrN layers. GaGdN also showed the ferromagnetic characteristics at 7-400K. Sharp PL emission was observed for GaGdN due to the intra-atomic f-f-transitions. GaCrN-based ferromagnet /nonmagnet/ ferromagnet trilayer structures were grown, for the first time, by radio frequency molecular beam epitaxy, in which the magnetoresistive effect was confirmed. |
| キーワード(和) | 希薄磁性半導体 / GaNベースの磁性半導体 / GaMnN / GaCrN / GaGdN / GaDyN |
| キーワード(英) | Diluted magnetic semiconductor / GaN-based semiconductor / GaMnN / GaCrN / GaGdN / GaDyN |
| 資料番号 | ED2004-127,CPM2004-101,LQE2004-65 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
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| 開催期間 | 2004/10/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Lasers and Quantum Electronics (LQE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MBE成長遷移金属及び希土類元素添加GaNの諸特性(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Physical properties of transition metal and rare earth element doped GaN grown by MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 希薄磁性半導体 / Diluted magnetic semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | GaNベースの磁性半導体 / GaN-based semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | GaMnN / GaMnN |
| キーワード(4)（和/英） | GaCrN / GaCrN |
| キーワード(5)（和/英） | GaGdN / GaGdN |
| キーワード(6)（和/英） | GaDyN / GaDyN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 周 逸凱 / Y.K. Zhou |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 金 武成 / M.S. Kim |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木村 重哉 / S. Kimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 崔 誠佑 / S.W. Choi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 江村 修一 / S. Emura |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 長谷川 繁彦 / S. Hasegawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 朝日 一 / H. Asahi |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 大阪大学産業科学研究所 The Institute of Scientific and Industrial Research, Osaka University |
| 発表年月日 | 2004/10/14 |
| 資料番号 | ED2004-127,CPM2004-101,LQE2004-65 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 361 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |