| 講演名 | 2005-06-24 ヨウ化水素誘導結合プラズマエッチングを用いたInP系半導体フォトニック結晶の製作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般) 野崎 謙悟, 橋本 惇一, 井手 利英, 水田 栄一, 志賀 正浩, 馬場 俊彦, |
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| 抄録(和) | 本研究では, 1.55μm帯GaInAsP-InPウェハに対してヨウ化水素(HI)ガスを用いた誘導結合プラズマ(ICP)エッチングを行い, 良好な平滑性と高アスペクト比をもつフォトニック結晶(PC)円孔配列を形成することに成功した.HIガスを用いた低温ICPエッチングでは, レジストマスクからの直接転写が可能であり, 従来の中間マスクを用いるプロセスに比べて側壁平滑性が向上した.エッチング状態を律則する諸条件を最適化した結果, 直径0.2μm程度の小円孔に対してアスペクト比13以上, 側壁荒れ10nm以下が得られた.実際にGaInAsPスラブに形成したPC点欠陥レーザでは明瞭な発振動作が確認された. |
| 抄録(英) | We successfully formed the photonic crystal consisting of airholes with smooth sidewalls and high aspect ratio into GaInAsP/InP wafer by using inductively coupled plasma (ICP) etching with HI gaseous source. The HI gas allows the etching at a relatively low temperature of 70℃. Therefore, e-beam resist can be directly used as an etching mask. This results in easy patterning and reduction in sidewall roughness of airholes, compared with the process using an intermediate metal or dielectric mask. After we optimized the etching condition, we formed the 0.2μm-diameter airholes with an aspect ratio of over 13 and a sidewall roughness of less than 10nm. The room temperature lasing action was observed in the PC point defect laser formed into 1.55-μm-GaInAsP slab. |
| キーワード(和) | フォトニック結晶 / ナノレーザ / 誘導結合プラズマエッチング / ヨウ化水素 |
| キーワード(英) | Photonic crystal / nanolaser / ICP plasma etching / hydro iodide / GaInAsP/InP |
| 資料番号 | OPE2005-15,LQE2005-14 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2005/6/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ヨウ化水素誘導結合プラズマエッチングを用いたInP系半導体フォトニック結晶の製作(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of InP-based semiconductor photonic crystal by HI-ICP etching |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | フォトニック結晶 / Photonic crystal |
| キーワード(2)（和/英） | ナノレーザ / nanolaser |
| キーワード(3)（和/英） | 誘導結合プラズマエッチング / ICP plasma etching |
| キーワード(4)（和/英） | ヨウ化水素 / hydro iodide |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 野崎 謙悟 / Kengo NOZAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学工学研究院 Yokohama National University, Department of Electrical and Computer Engineering |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 橋本 惇一 / Junichi HASHIMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学工学研究院 Yokohama National University, Department of Electrical and Computer Engineering |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 井手 利英 / Toshihide IDE |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学工学研究院 Yokohama National University, Department of Electrical and Computer Engineering |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 水田 栄一 / Eiichi MIZUTA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学工学研究院 Yokohama National University, Department of Electrical and Computer Engineering |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 志賀 正浩 / Masahiro SHIGA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学工学研究院 Yokohama National University, Department of Electrical and Computer Engineering |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 馬場 俊彦 / Toshihiko BABA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 横浜国立大学工学研究院 Yokohama National University, Department of Electrical and Computer Engineering |
| 発表年月日 | 2005-06-24 |
| 資料番号 | OPE2005-15,LQE2005-14 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 142 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |