| 講演名 | 2005-06-24 GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般) 太田 征孝, 古旗 達也, 松浦 哲也, 松井 康尚, 宮本 智之, 小山 二三夫, |
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| 抄録(和) | レーザの変調特性や温度特性向上を目的に, 活性層に隣接した共鳴トンネルを有する, トンネル注入レーザ構造が提案されている.しかし, レーザ特性のトンネル注入構造依存性について十分に解明されていない.本報告では, GaInAs/AlGaAs単一量子井戸トンネル注入レーザの静特性について, トンネル注入構造依存性の検討を行った.トンネル注入層とトンネルバリア層の厚さにより, I-L特性の大きなキンクや, しきい値増加を生じることが分かった.また, トンネルバリア層のAl組成を低減することで, キンクの低減とともにしきい値増加が抑制された.トンネル注入構造を用いた構造により, 164Kと高い特性温度が得られた.本報告で得られた設計指針は, 高性能レーザ実現に重要な役割を担うと考えられる. |
| 抄録(英) | Lasing characteristics of MBE grown GaInAs/AlGaAs single QW lasers with double barrier tunnel injection structures are investigated. The I-L characteristics and threshold current density are strongly influenced by the tunnel injection structure, such as thickness of the tunnel injection layer and tunnel barrier layer. Lowering threshold current density is observed by decreasing of Al composition of the tunnel barrier layer. A high characteristic temperature of 164K is obtained for the tunnel injection laser. The structure dependence of lasing characteristics is important in order to realize high performance lasers with optimized tunnel injection structure. |
| キーワード(和) | 量子井戸レーザ / トンネル注入構造 / 特性温度 |
| キーワード(英) | Quantum well lasers / Tunnel injection structure / GaInAs/AlGaAs / Characteristic temperature |
| 資料番号 | OPE2005-14,LQE2005-13 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
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| 開催期間 | 2005/6/17(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optoelectronics (OPE) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaInAs系トンネル注入レーザにおける発振特性のトンネル注入構造依存性(量子効果型光デバイス・光集積化技術, 及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Structure dependence of lasing characteristics of GaInAs/AlGaAs tunneling injection lasers |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子井戸レーザ / Quantum well lasers |
| キーワード(2)（和/英） | トンネル注入構造 / Tunnel injection structure |
| キーワード(3)（和/英） | 特性温度 / GaInAs/AlGaAs |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 太田 征孝 / M. Ohta |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 古旗 達也 / T. Furuhata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 松浦 哲也 / T. Matsuura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松井 康尚 / Y. Matsui |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宮本 智之 / T. Miyamoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小山 二三夫 / F. Koyama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京工業大学精密工学研究所マイクロシステム研究センター Microsystem Research Center, P&I Lab., Tokyo Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005-06-24 |
| 資料番号 | OPE2005-14,LQE2005-13 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 142 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
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