講演名 2004-11-04
容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
秋山 傑, 伊藤 浩明, 竹内 辰也, 廣瀬 真一, 渡辺 孝幸, 関口 茂昭, 倉又 朗人, 山本 剛之,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) コンパクトかつチャーピング制御可能という利点を有するInPマッハツェンダ変調器において、近年、進行波電極の導入による高速・低電圧化が検討されている。中でも容量装荷型の進行波電極は、電気信号の伝搬損失が小さく、また、単一の高周波駆動信号によりプッシュプル駆動が可能であるため、我々は有望と考えている。今回我々は、容量装荷型進行波電極をPIN構造のInP系マッハツェンダ変調器に改良して適用する事で、変調器の高速・低電圧動作を実現した。本報告では最初に作製した素子の構造を示した後に、今回我々が素子上で部分的に導入した高抵抗InPクラッド層の高速動作に対する効果について、作製素子の評価により示す。次に、半波長電圧及び変調帯域の電極作用長に対する依存性を、実験により明らかにする。これらの結果から、それぞれ適した作用長の素子を用いる事で実現した駆動電圧1.2V_の10Gb/s動作、3.0V_の40Gb/s動作について示す。また、10Gb/sにおける|α|~0.1の低チャープ動作についても示す。
抄録(英) InP-based Mach-Zehnder modulators have advantages of compactness and good-chirp controllability. Recently, their high-speed and low-driving voltage operation has been investigated, by use of traveling-wave electrodes. Capacitively loaded traveling-wave electrodes (CL-TWEs) structure is particularly suitable for such applications because it has the small electrical propagation loss and can be operated in push-pull configuration by single electrical signal. In this work, the introduction of the CL-TWEs for the InP-based modulators with PIN structure is investigated to obtain the high-speed and low-driving voltage operation. First, the effect of the upper cladding layers of semi-insulating InP, which have been introduced partially on the passive optical waveguides, is shown by fabricated devices. Then, the dependence of the half-wavelength voltage and modulation bandwidth on the active length of the electrodes is revealed. Using the devices with the proper active lengths, 10- and 40-Gb/s operations are demonstrated with the driving voltage of 1.2 and 3.0V_, respectively. Its low-chip characteristic (|α|~0. 1) is also shown, experimentally at 10 Gb/s.
キーワード(和) InP / マッハツェンダ / 変調器 / 容量装荷型進行波電極 / 10Gb/s / 40Gb/s / 駆動電圧 / チャーピング
キーワード(英) InP / Mach-Zehnder / modulator / Capacitively loaded traveling-wave electrodes / 10 Gb/s / 40 Gb/s / chirping
資料番号 OCS2004-92,OPE2004-157,LQE2004-101
発行日

研究会情報
研究会 OCS
開催期間 2004/10/28(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Optical Communication Systems (OCS)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) High-speed and Low-driving voltage InP-based Mach-Zehnder Modulator with Capacitively Loaded Traveling-wave Electrodes
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) InP / InP
キーワード(2)(和/英) マッハツェンダ / Mach-Zehnder
キーワード(3)(和/英) 変調器 / modulator
キーワード(4)(和/英) 容量装荷型進行波電極 / Capacitively loaded traveling-wave electrodes
キーワード(5)(和/英) 10Gb/s / 10 Gb/s
キーワード(6)(和/英) 40Gb/s / 40 Gb/s
キーワード(7)(和/英) 駆動電圧 / chirping
キーワード(8)(和/英) チャーピング
第 1 著者 氏名(和/英) 秋山 傑 / Suguru AKIYAMA
第 1 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 2 著者 氏名(和/英) 伊藤 浩明 / Hiroaki ITOH
第 2 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 3 著者 氏名(和/英) 竹内 辰也 / Tatsuya TAKEUCHI
第 3 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 廣瀬 真一 / Shinichi HIROSE
第 4 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 5 著者 氏名(和/英) 渡辺 孝幸 / Takayuki WATANABE
第 5 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 6 著者 氏名(和/英) 関口 茂昭 / Shigeaki SEKIGUCHI
第 6 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 7 著者 氏名(和/英) 倉又 朗人 / Akito KURAMATA
第 7 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
第 8 著者 氏名(和/英) 山本 剛之 / Tsuyoshi YAMAMOTO
第 8 著者 所属(和/英) (株)富士通研究所
Fujitsu Laboratories Ltd.
発表年月日 2004-11-04
資料番号 OCS2004-92,OPE2004-157,LQE2004-101
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 410
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日