| 講演名 | 2004-11-04 1.55μm帯40Gbit/s-InGaAlAs EA変調器の無温調動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般) 有本 英生, 清水 淳一郎, 白井 正敬, 青木 雅博, |
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| 抄録(和) | 光送信器の低コスト化を目指したアンクールド40Gbit/s EA/DFBレーザを実現するための基礎検討として、0℃-85℃の広い温度範囲でInGaAlAs多重量子井戸を吸収層として持つ1.55μm帯EA変調器の40Gbit/s変調実験を行った。各温度で離長量が一定になる波長の光を入力した場合、65℃でも、25℃の場合と比較し動的消光比が約1.6dB劣化するものの、良好な40Gbit/s変調波形を観測した。また、各温度でDFBレーザの温度特性に従った波長の光を入力した場合も、適切なバイアスを印加することにより0℃-85℃の広い温度範囲で動的消光比7.8dB以上の良好な波形を確認した。これらは、現状のEA変調器がアンクールドEA/DFBレーザ-適用可能であることを示す結果である。 |
| 抄録(英) | We demonstrated 40-Gbit/s operations of 1. 55-fom InGaAlAs multiple-quantum-well (MQW) electro-absorption (EA) modulators in wide temperature range from 0 to 85-C as a basic study of an uncooled EA/DFB (distributed feedback) laser, which is one of the most promising method to achieve a low-cost optical transmitter. When the wavelength of the input optical source is set to keep the detuning constant, a good dynamic extinction ratio (ER) of 8.5 dB was obtained even at high temperature, i.e., 65℃, and the dynamic ER degradation between 25 and 65℃ was only 1.6 dB. When the input optical wavelength is controlled to match the temperature sensitivity of a DFB laser, the dynamic ER was better than 7.8 dB hi the temperature range from 0 to 85℃ by adjusting the center-level voltage of the EA modulator. These results show that when our 40-Gbit/s EA modulator is monolithically integrated with a DFB laser, it can attain uncooled operations under wide temperature range from 0 to 85℃. |
| キーワード(和) | 40Gbit/s / EA変調器 / InGaAlAs / 無温調動作 |
| キーワード(英) | 40-Gbit/s / Electro-absorption modulator / InGaAlAs / Uncooled operation |
| 資料番号 | OCS2004-90,OPE2004-155,LQE2004-99 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS |
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| 開催期間 | 2004/10/28(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Optical Communication Systems (OCS) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 1.55μm帯40Gbit/s-InGaAlAs EA変調器の無温調動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Uncooled operation of a 1.55-μm, 40-Gbit/s InGaAlAs EA modulator |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 40Gbit/s / 40-Gbit/s |
| キーワード(2)（和/英） | EA変調器 / Electro-absorption modulator |
| キーワード(3)（和/英） | InGaAlAs / InGaAlAs |
| キーワード(4)（和/英） | 無温調動作 / Uncooled operation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 有本 英生 / Hideo ARIMOTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 清水 淳一郎 / Junichiro SHIMIZU |
| 第 2 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 白井 正敬 / Masataka SHIRAI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 青木 雅博 / Masahiro AOKI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | (株)日立製作所 中央研究所 Central Research Laboratory, Hitachi, Ltd. |
| 発表年月日 | 2004-11-04 |
| 資料番号 | OCS2004-90,OPE2004-155,LQE2004-99 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 410 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |