| 講演名 | 2005/1/21 スパッタ・コンビナトリアル成膜法による蛍光体薄膜の作製及び薄膜EL素子への応用(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会) 望月 優, 伊原 一彦, 宮田 俊弘, 南 内嗣, |
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| 抄録(和) | 蛍光体薄膜の開発に対して極めて有用な新規な薄膜作成技術として、分割粉末ターゲットを用いるスパッタ・コンビナトリアル成膜法を提案した。一例として、本成膜法をZn_2Si_<1-X>Ge_XO_4 : Mn蛍光体薄膜の作製に適用し、エレクトロルミネッセンス(EL)及びフォトルミネセンス(PL)に対する最高強度を得るための母体中のGeの含有量及び発光中心であるMn含有量をぞれぞれ1回の成膜プロセスで最適化できた。最適条件下で作製されたZn_2Si_<1-X>Ge_XO_4 : Mn薄膜EL素子において、1kHz及び60Hz正弦波交流電圧駆動時にそれぞれ11800及び1536cd/m^2の高輝度緑色発光を実現した。 |
| 抄録(英) | A new technique incorporating combinatorial deposition to develop thin-film phosphors by r.f. magnetron sputtering is demonstrated using subdivided powder targets. The atomic ratios of Si and Ge as well as the Mn content in Zn_2Si_<1-X>Ge_XO_4 : Mn thin film phosphors were optimized in order to obtain the highest intensity in electroluminescent (EL) and photoluminescent (PL) emissions. High luminances of 11800 and 1536cd/m^2 were obtained in Zn_2Si_<0.6>Ge_<0.4>O_4 : Mn thin-film electroluminescent devices fabricated under the optimized conditions and driven at 1kHz and 60Hz, respectively. |
| キーワード(和) | エレクトロルミネッセンス / 薄膜EL素子 / 酸化物蛍光体薄膜 / コンビナトリアル成膜法 / スパッタリング |
| キーワード(英) | electroluminescence / TFEL / oxide phosphor thin film / combinatorial deposition / sputtering |
| 資料番号 | EID2004-61 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID |
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| 開催期間 | 2005/1/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Electronic Information Displays (EID) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スパッタ・コンビナトリアル成膜法による蛍光体薄膜の作製及び薄膜EL素子への応用(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Thin-Film Phosphor Development Utilizing Combinatorial Deposition by r.f. Magnetron Sputtering with Subdivided Powder Targets |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エレクトロルミネッセンス / electroluminescence |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜EL素子 / TFEL |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化物蛍光体薄膜 / oxide phosphor thin film |
| キーワード(4)（和/英） | コンビナトリアル成膜法 / combinatorial deposition |
| キーワード(5)（和/英） | スパッタリング / sputtering |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 望月 優 / Yu Mochizuki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学O.E.デバイスシステムR&Dセンター Optoelectronic Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 伊原 一彦 / Kazuhiko Ihara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学O.E.デバイスシステムR&Dセンター Optoelectronic Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 宮田 俊弘 / Toshihiro Miyata |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学O.E.デバイスシステムR&Dセンター Optoelectronic Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 南 内嗣 / Tadatsugu Minami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学O.E.デバイスシステムR&Dセンター Optoelectronic Device System R&D Center, Kanazawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/1/21 |
| 資料番号 | EID2004-61 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 621 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |