講演名 2005/4/15
変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
安彦 尚文, 杉 啓司, 末永 保, 木村 康男, 石井 久夫, 庭野 道夫,
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抄録(和) 有機電界発光素子において陰極と有機層の間に、絶縁層薄膜を挿入することにより、素子の電子注入特性が向上することが広く知られている。我々は、その機構を明らかにすることを目的に、変位電流評価法を用いて絶縁層を挿入した電極-有機界面での電荷注入を評価した。この手法では、電極から有機膜内への電荷の注入の様子や、有機膜内での電荷の挙動を観測することができる。今回我々は、挿入絶縁体として長鎖アルカン分子を用い、陽極-Alq_3界面および陰極-Alq_3界面において、それぞれ正孔と電子両方の注入特性が向上することを見出したので報告する。
抄録(英) In organic light emitting diodes (OLED), the insertion of a very thin insulating layer between a cathode and an organic layer has been widely applied in order to improve the device performance. We have performed the displacement current measurement (DCM) in order to understand charge carrier injection characteristic of insulator-inserted interfaces. We found the decrease of threshold voltage for both hole and electron injection by the insertion of a long chain alkane layer as an insulating layer
キーワード(和) 有機電界発光素子(OLED) / 絶縁体 / キャリア注入 / 変位電流評価法 / 界面修飾
キーワード(英) organic light emitting diodes (OLED) / insulator / interface / charge carrier injection / displacement current measurement (DCM) / long chain alkane
資料番号 ED2005-12,SDM2005-12,OME2005-12
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 2005/4/15(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 変位電流評価法を用いた有機デバイスの電荷注入特性評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Carrier injection characteristic of organic devices studied by displacement current measurement
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 有機電界発光素子(OLED) / organic light emitting diodes (OLED)
キーワード(2)(和/英) 絶縁体 / insulator
キーワード(3)(和/英) キャリア注入 / interface
キーワード(4)(和/英) 変位電流評価法 / charge carrier injection
キーワード(5)(和/英) 界面修飾 / displacement current measurement (DCM)
第 1 著者 氏名(和/英) 安彦 尚文 / Naofumi Abiko
第 1 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
Laboratory for nanoelectronics and spintronics Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
第 2 著者 氏名(和/英) 杉 啓司 / Keiji Sugi
第 2 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
Laboratory for nanoelectronics and spintronics Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
第 3 著者 氏名(和/英) 末永 保 / Tamotsu Suenaga
第 3 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
Laboratory for nanoelectronics and spintronics Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University
第 4 著者 氏名(和/英) 木村 康男 / Yasuo Kimura
第 4 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
Laboratory for nanoelectronics and spintronics Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University:Core Research for Evolutional Science and Technology (CREST), Japan Science and Technology Agency (JST)
第 5 著者 氏名(和/英) 石井 久夫 / Hisao Ishii
第 5 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
Laboratory for nanoelectronics and spintronics Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University:Core Research for Evolutional Science and Technology (CREST), Japan Science and Technology Agency (JST)
第 6 著者 氏名(和/英) 庭野 道夫 / Michio NIwano
第 6 著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所ナノ・スピン実験施設
Laboratory for nanoelectronics and spintronics Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University:Core Research for Evolutional Science and Technology (CREST), Japan Science and Technology Agency (JST)
発表年月日 2005/4/15
資料番号 ED2005-12,SDM2005-12,OME2005-12
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 23
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日