| 講演名 | 2005/6/17 GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般) 兼城 千波, 水澤 貴洋, 黄 啓新, 西村 一巳, 重川 直輝, 宝川 幸司, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 本報告では、GaNの紫外線センサとしての可能性を探るために、エピタキシャル成長したGaN弾性波デバイスを試作し、紫外線応答に関する基本的な実験と検証を行った。試作したSAWデバイスを用いて、紫外線照射による光励起キャリアのSAWによる電荷転送の現象を確認した。空乏層の狭いような導電性膜のデバイスであっても、サイドゲートを設ける工夫をすることで、空乏層を広げることにより、電荷転送を行うことができる。また、転送された電荷(電子と正孔)の不均衡によって、DC成分が検出できるという、特徴的な結果を得ることができた。このDC成分は、膜の導電性や伝搬する弾性波のモードにより極性が変化し、波長によっては検出できない。これらの実験結果により、膜の電気的性質を利用し、弾性波のモードにより、単なる紫外線検出器としてではなく、波長や照射強度の検出が可能であることが示された。 |
| 抄録(英) | In this paper, in order to realize a GaN UV sensor, we carried out basic experiments of UV response using SAW device fabricated on GaN epitaxial wafer. We obtained experimental results which show charge transfer of photo induced carriers by surface acoustic wave. The effect of the side gate was experimentally shown in the SAW device on the GaN epitaxial layer with relatively conductivity. These results indicate that the carriers in GaN layer are controlled by the electric field of SAW or side gate. Moreover, the DC component was detected in the transfer waves under the UV irradiation. Also, we observed polarity changing of DC component in propagation wave of another acoustic wave mode. We consider that the polarity changing of DC component is due to unbalance of transfer carriers, such electrons and holes. These experimental results imply that the generated electron-hole carriers by UV irradiation are transferred differently by acoustic waves. It is indicated that the observation of DC component by different acoustic wave propagation mode is effective to recognize the wave length and UV intensity. |
| キーワード(和) | UVセンサ / 弾性波デバイス / 電荷転送 |
| キーワード(英) | UV sensor / GaN / SAW device / Charge transfer |
| 資料番号 | EMD2005-19,CPM2005-58,OME2005-33 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
|---|---|
| 開催期間 | 2005/6/17(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaN上SAW素子の紫外線応答(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultra-violet Response of GaN SAW Device |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | UVセンサ / UV sensor |
| キーワード(2)（和/英） | 弾性波デバイス / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 電荷転送 / SAW device |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 兼城 千波 / Chinami KANESHIRO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学工学部 Faculty of Engineering, Kanagawa Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 水澤 貴洋 / Takahiro MIZUSAWA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学工学部 Faculty of Engineering, Kanagawa Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 黄 啓新 / Keishin KOH |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学工学部 Faculty of Engineering, Kanagawa Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西村 一巳 / Kazumi NISHIMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 重川 直輝 / Naoteru SHIGEKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宝川 幸司 / Kohji HOHKAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学工学部 Faculty of Engineering, Kanagawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/6/17 |
| 資料番号 | EMD2005-19,CPM2005-58,OME2005-33 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 141 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |