| 講演名 | 2005/6/17 GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般) 横田 学, 和田 雅哉, 兼城 千波, 西村 一巳, 重川 直輝, 宝川 幸司, |
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| 抄録(和) | GaN弾性波デバイスの高周波化に向けて、高速伝搬モードを利用したデバイスについて検討する。サファイア基板上にエピタキシャル成長したGaN膜上に、基本素子となるSAWデバイスを試作し、周波数特性、分散特性など基本特性を評価した。IDTにより励振された波には、SAW以外に膜内をガイド的に高速伝搬する弾性波の存在が確認できた。このレイヤーモードの波は、SAWの波長や膜厚、結晶性などに依存することが実験結果より示された。したがって、これらのパラメータを設計することにより、レイヤーモードを利用したデバイスの高周波化の可能性を示すことができた。 |
| 抄録(英) | In this paper, we study on high frequency SAW device fabricated on GaN epitaxitial layer. We carried out basic experiments of frequency characteristics and dispersion characteristics using test device. We observed acoustic waves which differ from SAW and propagate in GaN layer with guide mode. The experimental results shows that the waves of layer guide mode are dependence on crystalline of GaN layer and the relation between SAW wave length and thickness of GaN layer. It is indicated that the high frequency device using layer mode are realized by design of parameters, such as IDT, layer thickness, and so on. |
| キーワード(和) | 高周波弾性波デバイス |
| キーワード(英) | GaN / High frequency acoustic device / MOCVD |
| 資料番号 | EMD2005-18,CPM2005-57,OME2005-32 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2005/6/17(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaNエピタキシャル薄膜による高周波弾性波素子の検討(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on High Frequency SAW Device Fabricated on Epitaxitially grown GaN |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 高周波弾性波デバイス / GaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 横田 学 / Manabu YOKOTA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学工学部 Faculty of Engineering, Kanagawa Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 和田 雅哉 / Masaya WADA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学工学部 Faculty of Engineering, Kanagawa Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 兼城 千波 / Chinami KANESHIRO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学工学部 Faculty of Engineering, Kanagawa Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 西村 一巳 / Kazumi NISHIMURA |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 重川 直輝 / Naoteru SHIGEKAWA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | NTTフォトニクス研究所 NTT Photonics Laboratories |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宝川 幸司 / Kohji HOHKAWA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 神奈川工科大学工学部 Faculty of Engineering, Kanagawa Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/6/17 |
| 資料番号 | EMD2005-18,CPM2005-57,OME2005-32 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 141 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |