講演名 2005/6/17
垂直ブリッジマン法により育成したランガサイト単結晶の電気的特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
太子 敏則, 加藤 健太郎, 林 貴之, 番場 教子, 干川 圭吾, 深海 龍夫,
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抄録(和) 近年SAWフィルタや圧力センサ用の圧電材料として注目されているランガサイト(La_3Ga_5SiO_<14>)単結晶を、酸素を含まない還元雰囲気下で垂直ブリッジマン(VB)法により育成し、電気的特性を評価した。ランガサイトはチョクラルスキー(CZ)法により酸素含有雰囲気下で育成され、透明でオレンジ色を呈することが一般認識であるが、本研究ではAr雰囲気下で無色透明なランガサイト単結晶の育成に成功した。この結晶抵抗率はCZ法で育成した結晶に比べて高いことがわかり、大気中でのアニールによって抵抗率が低下することから、過剰な格子間酸素原子が抵抗率の低下を引き起こすことが示唆された。
抄録(英) Langasite (La_3Ga_5SiO_<14>) single crystal growth by vertical Bridgman (VB) method in Ar atmosphere without oxygen and the electric properties of the crystals have been investigated. It has been generally known that an orange-colored transparent langasite single crystal has been grown by conventional Czochralski (CZ) method in oxygen-contained atmosphere, however, a colorless transparent langasite crystal could be grown in Ar atmosphere without oxygen. The resistivity of the crystal grown by VB method was higher than that grown by conventional CZ method. This indicates that the decrease of resistivity of langasite crystal is caused by extra interstitial oxygen atoms in the crystal.
キーワード(和) ランガサイト / 垂直ブリッジマン法 / Ar雰囲気 / 抵抗率 / 酸素欠陥 / 格子間酸素原子
キーワード(英) langasite / vertical Bridgman method / Ar atmosphere / resistivity / oxygen defect / interstitial oxygen atoms
資料番号 EMD2005-12,CPM2005-51,OME2005-26
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 2005/6/17(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 垂直ブリッジマン法により育成したランガサイト単結晶の電気的特性(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Electric Properties of Langasite Single Crystal Grown By Vertical Bridgman Method
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ランガサイト / langasite
キーワード(2)(和/英) 垂直ブリッジマン法 / vertical Bridgman method
キーワード(3)(和/英) Ar雰囲気 / Ar atmosphere
キーワード(4)(和/英) 抵抗率 / resistivity
キーワード(5)(和/英) 酸素欠陥 / oxygen defect
キーワード(6)(和/英) 格子間酸素原子 / interstitial oxygen atoms
第 1 著者 氏名(和/英) 太子 敏則 / Toshinori TAISHI
第 1 著者 所属(和/英) 信州大学教育学部
Faculty of Education, Shinshu University
第 2 著者 氏名(和/英) 加藤 健太郎 / Kentaro KATO
第 2 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 3 著者 氏名(和/英) 林 貴之 / Takayuki HAYASHI
第 3 著者 所属(和/英) シメオ精密株式会社
Cimeo Precision Co., Ltd.
第 4 著者 氏名(和/英) 番場 教子 / Noriko BAMBA
第 4 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
第 5 著者 氏名(和/英) 干川 圭吾 / Keigo HOSHIKAWA
第 5 著者 所属(和/英) 信州大学教育学部
Faculty of Education, Shinshu University
第 6 著者 氏名(和/英) 深海 龍夫 / Tatsuo FUKAMI
第 6 著者 所属(和/英) 信州大学工学部
Faculty of Engineering, Shinshu University
発表年月日 2005/6/17
資料番号 EMD2005-12,CPM2005-51,OME2005-26
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 141
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日