講演名 2005/6/17
フレキシブル有機トランジスタの電気伝導特性における圧縮・伸張歪みの効果(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
関谷 毅, 伊庭 信吾, 加藤 祐作, 桜井 貴康, 染谷 隆夫,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和) ゲート絶縁膜にポリイミドを用いることにより、くにゃくにゃ曲がる有機トランジスタとしては高い移動度である0.3cm^2/Vs, On/off比10^6以上を実現した.この有機トランジスタの可撓性を調べるため、系統的に圧縮および伸張曲げひずみを加え、電気伝導特性を測定した.その結果、1.5%の圧縮歪みによってチャネル電流が10%増加し、1.5%の伸張歪みによってチャネル電流が10%減少することがわかった。この歪みの印加に伴うチャネル電流の変化は、電流方向と歪み方向の関係には依らないことが示された.また、曲げ半径4.6mm(ひずみ量に換算して1.5%)まで、トランジスタ特性の劣化が見られないことがわかった.このような等方的な伝導は、多結晶ペンタセン内のキャリアホッピングモデルから説明することができる.
抄録(英) We have fabricated very flexible pentacene field-effect transistors with polyimide gate dielectric layers on plastic films with a mobility of 0.3cm^2/Vs and an on/off ratio of 10^5, and have measured their electrical properties under various compressive and tensile strains while changing the bending radius of the base plastic films systematically. We have found that the change in source-drain current with bending radius is reproducible and reversible when the bending radius is above 4.6mm, which corresponds to strains of 1.4±0.1%. Furthermore, the change in source-drain current does not depend on the direction of strain versus direction of current flow.
キーワード(和) 有機トランジスタ / ペンタセン / ポリイミド絶縁膜 / 折り曲げ試験
キーワード(英) Organic Field-Effect Transistor / Pentacene / Polyimide Gate insulator / Bending experiments
資料番号 EMD2005-11,CPM2005-50,OME2005-25
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 2005/6/17(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 JPN
タイトル(和) フレキシブル有機トランジスタの電気伝導特性における圧縮・伸張歪みの効果(圧電デバイス・材料, 強誘電体材料, 有機エレクトロニクス, 一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Bending experiment on pentacene field-effect transistors on plastic films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 有機トランジスタ / Organic Field-Effect Transistor
キーワード(2)(和/英) ペンタセン / Pentacene
キーワード(3)(和/英) ポリイミド絶縁膜 / Polyimide Gate insulator
キーワード(4)(和/英) 折り曲げ試験 / Bending experiments
第 1 著者 氏名(和/英) 関谷 毅 / Tsuyoshi SEKITANI
第 1 著者 所属(和/英) 東京大学工学系研究科量子相エレクトロニクス研究センター
Quantum-Phase Electronics Center, University of Tokyo
第 2 著者 氏名(和/英) 伊庭 信吾 / Shingo IBA
第 2 著者 所属(和/英) 東京大学工学系研究科量子相エレクトロニクス研究センター
Quantum-Phase Electronics Center, University of Tokyo
第 3 著者 氏名(和/英) 加藤 祐作 / Yusaku Kato
第 3 著者 所属(和/英) 東京大学工学系研究科量子相エレクトロニクス研究センター
Quantum-Phase Electronics Center, University of Tokyo
第 4 著者 氏名(和/英) 桜井 貴康 / Takayasu SAKURAI
第 4 著者 所属(和/英) 東京大学国際・産学共同研究センター
Center of Collaborative Research, University of Tokyo
第 5 著者 氏名(和/英) 染谷 隆夫 / Takao SOMEYA
第 5 著者 所属(和/英) 東京大学工学系研究科量子相エレクトロニクス研究センター
Quantum-Phase Electronics Center, University of Tokyo
発表年月日 2005/6/17
資料番号 EMD2005-11,CPM2005-50,OME2005-25
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 141
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日