| 講演名 | 2005/1/14 プラズマCVD-スパッタリング法によるC-Cu-S膜生成の温度依存性(有機エレクトロニクス・一般) 水野 将範, 森田 慎三, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | CH_4、SF_6、Ar混合ガスのプラズマCVDとCu製放電電極のスパッタリングを同時に行う方法で、基板温度制御が可能な基板ホルダーを用いて、C-Cu-S膜堆積の基板温度依存性を調べた。室温製膜では、C、Cu、Sの原子組成比は、ほぼ等しくした膜の堆積が可能であった、そして、この膜は導電性を示した。そこで、基板温度を最大400℃まで加熱して、C-Cu-S膜の堆積を試みたところ、基板温度の上昇と共に、硫黄(S)含有率が減少傾向を示し、酸素組成比の急増が観測された。酸素組成比急増の原因として、膜中のCu原子の一様分散状態が指摘できることが示唆された。 |
| 抄録(英) | Substrate temperature dependence of C-Cu-S film deposition was studied with using substrate temperature controllable holder by co-operation process of plasma chemical vapor deposition (PCVD) using CH_4, SF_6 and Ar mixture gas and sputtering of metal plate on the upper discharge electrode. The C-Cu-S film with same atomic composition was formed at room temperature and showed conductive property. With increasing the substrate temperature up to 400℃, the deposition was performed, S atom content showed the tendency to decrease but oxygen content. The reason of significant increase of oxygen content was supposed to refer to uniform distribution of Cu atom in the film. |
| キーワード(和) | プラズマCVD-スパッタリング共同プロセス / CH_4, SF_6, Ar混合ガス / C-Cu-S膜 / 合成金属 / 膜堆積における基板温度依存性 |
| キーワード(英) | co-operation process of plasma CVD and sputtering / CH_4, SF_6 and Ar mixture gas / C-Cu-S film / synthetic metal / substrate temperature dependence of deposition |
| 資料番号 | OME2004-117 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
|---|---|
| 開催期間 | 2005/1/14(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | プラズマCVD-スパッタリング法によるC-Cu-S膜生成の温度依存性(有機エレクトロニクス・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Substrate Temperature Dependence of C-Cu-S Film Formation by Cooperation Process of Plasma CVD and Sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマCVD-スパッタリング共同プロセス / co-operation process of plasma CVD and sputtering |
| キーワード(2)（和/英） | CH_4, SF_6, Ar混合ガス / CH_4, SF_6 and Ar mixture gas |
| キーワード(3)（和/英） | C-Cu-S膜 / C-Cu-S film |
| キーワード(4)（和/英） | 合成金属 / synthetic metal |
| キーワード(5)（和/英） | 膜堆積における基板温度依存性 / substrate temperature dependence of deposition |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 水野 将範 / Masanori MIZUNO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Department of Electronic Information System, Graduate Course of Engineering, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 森田 慎三 / Shinzo MORITA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学大学院工学研究科 Department of Electronic Information System, Graduate Course of Engineering, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2005/1/14 |
| 資料番号 | OME2004-117 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 578 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |