| 講演名 | 2004/10/22 Metal(dmit)_2に基づく高導電性ラングミュア・ブロジェット膜 : 超伝導の可能性(II)(分子薄膜デバイス・一般) 三浦 康弘, 渡邊 亮, 盛田 伸一, 杉 道夫, 辺土 正人, 上床 美也, |
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| 抄録(和) | ジテトラデシルジメチルアンモニウム-Au(dmit)_2(2C_<14>-Au(dmit)_2)塩に基づくLB膜は、電解酸化処理の後、室温で40S/cm程度の高い電気伝導度を示す。さらに、交流磁化率は、4K以下の温度域にマイスナー状態の存在を示唆する磁性異常を示すが、冷却時に、4K以下の温度域に抵抗減少を示す試料バッチは少数である。前回、0.5mm幅の電極ギャップを用いて測定した直流抵抗の測定結果に基づく議論を行った。今回、5μm幅の櫛型電極ギャップを用いた交流抵抗の測定結果を示し、原子間力顕微鏡(AFM)、およびブリュースター角顕微鏡(BAM)を用いて観察した膜の形態に関する結果と併せて議論する。 |
| 抄録(英) | The Langmuir-Blodgett film based on ditetradecyldimethylammoniuni-Au(dmit)_2 (2C_<14>-Au(dmit)_2) salt exhibits a high conductivity of 40 S/cm at room temperature after electrochemical oxidation. Furthermore, the existence of the Meissner state is suggested from the ac magnetic susceptibility measurement below 4 K, however, the resistance drop on cooling can not be seen for the sample batches of majority. We have already discussed the behavior of the dc resistance measured by the electrode gap of 0.5 mm. Here we report the ac resistance measured by electrode gap of 5 um and discuss the possible superconducting phase together with the morphology observed by atomic force microscopy (AFM) and Brewster angle microscopy (BAM). |
| キーワード(和) | ラングミュア・ブロジェット(LB)法 / Au(dmit)_2塩 / マイスナー状態 / 直流抵抗 / 交流抵抗 |
| キーワード(英) | Langmuir-Blodgett (LB) Films / Au(dmit)_2 salt / Meissner state / DC resistance / AC resistance |
| 資料番号 | OME2004-86 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
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| 開催期間 | 2004/10/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Organic Material Electronics (OME) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Metal(dmit)_2に基づく高導電性ラングミュア・ブロジェット膜 : 超伝導の可能性(II)(分子薄膜デバイス・一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Highly-conductive Langmuir-Blodgett Films based on Metal(dmit)_2 : Possibility of Superconductivity (II) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ラングミュア・ブロジェット(LB)法 / Langmuir-Blodgett (LB) Films |
| キーワード(2)（和/英） | Au(dmit)_2塩 / Au(dmit)_2 salt |
| キーワード(3)（和/英） | マイスナー状態 / Meissner state |
| キーワード(4)（和/英） | 直流抵抗 / DC resistance |
| キーワード(5)（和/英） | 交流抵抗 / AC resistance |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 三浦 康弘 / Yasuhiro F. MIURA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 桐蔭横浜大学工学部機能化学工学科 Department of Functional Chemistry, Toin University of Yokohama |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 渡邊 亮 / Ryo WATANABE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 桐蔭横浜大学工学部機能化学工学科 Department of Functional Chemistry, Toin University of Yokohama |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 盛田 伸一 / Shin-ichi MORITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 桐蔭横浜大学工学部機能化学工学科 Department of Functional Chemistry, Toin University of Yokohama |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 杉 道夫 / Michio SUGI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 桐蔭横浜大学工学部機能化学工学科 Department of Functional Chemistry, Toin University of Yokohama |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 辺土 正人 / Masato HEDO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 東京大学物性研究所極限環境物性研究部門 Institute for Solid State Physics, University of Tokyo |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 上床 美也 / Yoshiya UWATOKO |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東京大学物性研究所極限環境物性研究部門 Institute for Solid State Physics, University of Tokyo |
| 発表年月日 | 2004/10/22 |
| 資料番号 | OME2004-86 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 394 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |