講演名 2004/10/1
Assessment of Optical gain in Si-Ge nanocrystals Embedded in SiO_2 films
,
PDFダウンロードページ PDFダウンロードページへ
抄録(和)
抄録(英) Assessment of optical gain in as-grown SiO_2 thin film containing silicon (Si) and Germanium (Ge) nanocrystals, grown by rf-sputtering, by applying the variable stripe length (VSL) method, is reported. The optical gain in the thin film is demonstrated at 400 nm, at which the film shows photoluminescence peak. The analysis of the experimental data, based on one dimensional amplifier model, extracts the gain value of 4.3 cm^<-1> for a 738 nm thick film, when excited by a continuous wave 325 nm wavelength He-Cd laser.
キーワード(和)
キーワード(英) Silicon Nanocrystals / Germanium Nanocrystals / Optical gain in thin films
資料番号 OME2004-76,OPE2004-139
発行日

研究会情報
研究会 OME
開催期間 2004/10/1(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Organic Material Electronics (OME)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Assessment of Optical gain in Si-Ge nanocrystals Embedded in SiO_2 films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / Silicon Nanocrystals
第 1 著者 氏名(和/英) / Chitrarekha CHAUDHARI
第 1 著者 所属(和/英)
Satellite Venture Business Laboratory, Gunma University
発表年月日 2004/10/1
資料番号 OME2004-76,OPE2004-139
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 332
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日