講演名 | 2005/3/3 電圧レベル変換 (SVL) 回路を適用した低リーク 90-nm CMOS SRAM(低消費 LSI-1, システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用した VLSI) 樋口 雄貴, 榎本 忠儀, |
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抄録(和) | 90-nm CMOS技術を用いて、SVL回路を適用しない1Kb SRAM(従来形)、SVL回路をメモリセルアレイのみに適用した1Kb SRAM(改良形1)、SVL回路をメモリセルアレイ、デコーダ、読み出し回路、書き込み回路に適用した1Kb SRAM(改良形2)を設計した.電源電圧(V_ |
抄録(英) | A self-controllable voltage level (SVL) circuit-which can supply a maximum DC voltage to an active-load circuit on request or can decrease the DC voltage supplied to a load circuit in stand-by mode-was developed. This SVL circuit can drastically reduce stand-by leakage power of CMOS logic circuits and SRAMs with minimal overheads in terms of chip area and speed. The stand-by power of 1-Kb SRAM incorporating the SVL circuit was 430nW that was 7.6% of that (5, 663nW) of an equivalent conventional 1-Kbit SRAM. The active power of this new SRAM was 486.4μW, 99.8% of that of the equivalent conventional 1-Kbit SRAM (at V_ |
キーワード(和) | リーク電流 / 消費電力 / 電圧レベル変換回路 |
キーワード(英) | CMOS / leakage current / power dissipation / Self-controllable Voltage Level (SVL) Circuit / SRAM |
資料番号 | VLD2004-129,ICD2004-225 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | VLD |
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開催期間 | 2005/3/3(から1日開催) |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | VLSI Design Technologies (VLD) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 電圧レベル変換 (SVL) 回路を適用した低リーク 90-nm CMOS SRAM(低消費 LSI-1, システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用した VLSI) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Low Leakage Current SRAM Incorporating a Self-controllable Voltage Level (SVL) Circuit |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | リーク電流 / CMOS |
キーワード(2)(和/英) | 消費電力 / leakage current |
キーワード(3)(和/英) | 電圧レベル変換回路 / power dissipation |
第 1 著者 氏名(和/英) | 樋口 雄貴 / Yuki Higuchi |
第 1 著者 所属(和/英) | 中央大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Chuo University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 榎本 忠儀 / Tadayoshi Enomoto |
第 2 著者 所属(和/英) | 中央大学大学院理工学研究科 Graduate School of Science and Engineering, Chuo University |
発表年月日 | 2005/3/3 |
資料番号 | VLD2004-129,ICD2004-225 |
巻番号(vol) | vol.104 |
号番号(no) | 708 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 6 |
発行日 |