講演名 2005/3/3
電圧レベル変換 (SVL) 回路を適用した低リーク 90-nm CMOS SRAM(低消費 LSI-1, システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用した VLSI)
樋口 雄貴, 榎本 忠儀,
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抄録(和) 90-nm CMOS技術を用いて、SVL回路を適用しない1Kb SRAM(従来形)、SVL回路をメモリセルアレイのみに適用した1Kb SRAM(改良形1)、SVL回路をメモリセルアレイ、デコーダ、読み出し回路、書き込み回路に適用した1Kb SRAM(改良形2)を設計した.電源電圧(V_
)が1.0Vの時、改良形1の待機時消費電力(P_)は2, 957nWに、改良形2のP_は430nWで、従来形のP_(5, 663nW)と比べ、それぞれ52%、7.6%に削減された.一方、V_
が1.0V、クロック周波数が200MHzの時、改良形1の動作時消費電力(P_)は486.4μWで、従来形SRAMのP_ (487.3μW)の99.8%であった.また改良形1のアクセス時間(t_a)は213.0p秒で、従来形のt_aの僅か0.8%増であった.
抄録(英) A self-controllable voltage level (SVL) circuit-which can supply a maximum DC voltage to an active-load circuit on request or can decrease the DC voltage supplied to a load circuit in stand-by mode-was developed. This SVL circuit can drastically reduce stand-by leakage power of CMOS logic circuits and SRAMs with minimal overheads in terms of chip area and speed. The stand-by power of 1-Kb SRAM incorporating the SVL circuit was 430nW that was 7.6% of that (5, 663nW) of an equivalent conventional 1-Kbit SRAM. The active power of this new SRAM was 486.4μW, 99.8% of that of the equivalent conventional 1-Kbit SRAM (at V_
=1.0V, f_c=200MHz). The read-access time of this new SRAM was 213.0psec, that is, only 1.7 psec slower than that of the equivalent conventional 1-Kb SRAM.
キーワード(和) リーク電流 / 消費電力 / 電圧レベル変換回路
キーワード(英) CMOS / leakage current / power dissipation / Self-controllable Voltage Level (SVL) Circuit / SRAM
資料番号 VLD2004-129,ICD2004-225
発行日

研究会情報
研究会 VLD
開催期間 2005/3/3(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 VLSI Design Technologies (VLD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 電圧レベル変換 (SVL) 回路を適用した低リーク 90-nm CMOS SRAM(低消費 LSI-1, システムオンシリコン設計技術並びにこれを活用した VLSI)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Low Leakage Current SRAM Incorporating a Self-controllable Voltage Level (SVL) Circuit
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) リーク電流 / CMOS
キーワード(2)(和/英) 消費電力 / leakage current
キーワード(3)(和/英) 電圧レベル変換回路 / power dissipation
第 1 著者 氏名(和/英) 樋口 雄貴 / Yuki Higuchi
第 1 著者 所属(和/英) 中央大学大学院理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Chuo University
第 2 著者 氏名(和/英) 榎本 忠儀 / Tadayoshi Enomoto
第 2 著者 所属(和/英) 中央大学大学院理工学研究科
Graduate School of Science and Engineering, Chuo University
発表年月日 2005/3/3
資料番号 VLD2004-129,ICD2004-225
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 708
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日