講演名 2004/11/25
遅延変動を考慮したスタンダードセルライブラリの構築と評価(レイアウト)(VLSIの設計/検証/テスト及び一般)(デザインガイア2004-VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
小暮 千賀明, 今井 雅, 近藤 正章, 中村 宏, 南谷 崇,
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抄録(和) 本稿では,Sealable Delay Insensitive(SDI)モデルに基づく非同期式VLSI設計において遅延変動に対する標準時のオーバーヘッドを小さくする設計手法を述べる.提案手法ではSDIモデルにおける信号遷移の順序関係を保証するために用いる相対遅延変動率の上限値Kという値をK≈1とするセルライブラリをゲートサイジング等を利用した方法により構築することでオーバーヘッドを小さくする.そして, HSPICE・Design Analyzerを使用して構築したセルライブラリの評価を行なった結果を述べる.
抄録(英) This paper describes a design method for asynchronous circuits that have small overhead in the standard condition for various environmental changes and process variations. The method is an SDI-model-based design methodology. In this model, the value of K represents the relative delay variation and an overhead of the circuit in the standard condition. We present how to design a cell library that is consisted of gates. The gates are adjusted to their K by using gate-sizing and so on. An overhead of the circuit made from the cell library is small. Some circuits based on the proposed method are simulated using the HSPICE and.the Design Analyzer.
キーワード(和) 非同期式VLSI / 遅延変動 / SDIモデル / セルライブラリ
キーワード(英) Asynchronous VLSI / delay variation / SDI model / cell library
資料番号 VLD2004-63,ICD2004-149,DC2004-49
発行日

研究会情報
研究会 VLD
開催期間 2004/11/25(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 VLSI Design Technologies (VLD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 遅延変動を考慮したスタンダードセルライブラリの構築と評価(レイアウト)(VLSIの設計/検証/テスト及び一般)(デザインガイア2004-VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
サブタイトル(和)
タイトル(英) A Design Method for a Standard Cell Library Considering Delay Variation
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 非同期式VLSI / Asynchronous VLSI
キーワード(2)(和/英) 遅延変動 / delay variation
キーワード(3)(和/英) SDIモデル / SDI model
キーワード(4)(和/英) セルライブラリ / cell library
第 1 著者 氏名(和/英) 小暮 千賀明 / C. KOGURE
第 1 著者 所属(和/英) 東京大学 先端科学技術センター
The University of Tokyo, Resarch Center for Advanced Science and Technology
第 2 著者 氏名(和/英) 今井 雅 / M. IMAI
第 2 著者 所属(和/英) 東京大学 先端科学技術センター
The University of Tokyo, Resarch Center for Advanced Science and Technology
第 3 著者 氏名(和/英) 近藤 正章 / M. KONDO
第 3 著者 所属(和/英) 東京大学 先端科学技術センター
The University of Tokyo, Resarch Center for Advanced Science and Technology
第 4 著者 氏名(和/英) 中村 宏 / H. NAKAMURA
第 4 著者 所属(和/英) 東京大学 先端科学技術センター
The University of Tokyo, Resarch Center for Advanced Science and Technology
第 5 著者 氏名(和/英) 南谷 崇 / T. NANYA
第 5 著者 所属(和/英) 東京大学 先端科学技術センター
The University of Tokyo, Resarch Center for Advanced Science and Technology
発表年月日 2004/11/25
資料番号 VLD2004-63,ICD2004-149,DC2004-49
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 478
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日