| 講演名 | 2005-05-27 1GHzデジタル回路の基板雑音評価(VLSI一般(ISSCC2005特集)) 深澤 光弥, 永田 真, 濱西 直之, 塩地 正純, 飯田 哲也, 渡邊 淳一郎, 村坂 佳隆, 岩田 穆, |
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| 抄録(和) | 次世代の高機能・高性能SoCの設計では, GHzオーバーの周波数で動作するデジタル回路部と高感度なRF信号処理部との間の基板クロストーク対策が必須となる.本稿では, 1.2Vスタンダードセルで構成されたループシフトレジスタを用いて, 90nm CMOSテクノロジーにおけるGHz領域での基板雑音を評価した.GHz領域では, MOSFET内部の寄生容量により, 回路の電源/グラウンド結合が強くなり, 一方で基板への雑音注入が緩和される傾向にあることを示した.GHz領域における基板雑音解析には, MOSFETデバイスレベルの基板結合と回路レベルの電源/グラウンド/基板結合の効果をとりこむ必要がある. |
| 抄録(英) | In the next decade, SoCs must cope with substrate crosstalk between digital operations over GHz and sensitive RF signal processing. Substrate coupling in a 90nm CMOS technology was evaluated with over 1GHz frequency of interest in a 1.2V standard-cell based loop shift register. Measurements emphasize that frequency dependence of digital substrate coupling beyond 1GHz combines reduced isolation in device-level coupling through MOSFETs and mitigated large-signal circuit level coupling to a substrate. |
| キーワード(和) | 基板結合 / 基板クロストーク / 電源/グラウンド結合 / インピーダンスネットワーク |
| キーワード(英) | 90nm CMOS / Substrate coupling / Substrate crosstalk / Power-supply/ground coupling / Impedance network |
| 資料番号 | ICD2005-39 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2005/5/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 1GHzデジタル回路の基板雑音評価(VLSI一般(ISSCC2005特集)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Substrate Integrity beyond 1GHz |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 基板結合 / 90nm CMOS |
| キーワード(2)（和/英） | 基板クロストーク / Substrate coupling |
| キーワード(3)（和/英） | 電源/グラウンド結合 / Substrate crosstalk |
| キーワード(4)（和/英） | インピーダンスネットワーク / Power-supply/ground coupling |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 深澤 光弥 / Mitsuya FUKAZAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 神戸大学大学院自然科学研究科 Graduate School of Science and Technokoty, Kobe University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 永田 真 / Makoto NAGATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 神戸大学大学院自然科学研究科:神戸大学工学部情報知能工学科 Graduate School of Science and Technokoty, Kobe University:Department of Computer and Systems Engineering, Kobe University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 濱西 直之 / Naoyuki HAMANISHI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 塩地 正純 / Masazumi SHIOCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 飯田 哲也 / Tetsuya IIDA |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社東芝 Toshiba Corporation |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 渡邊 淳一郎 / Junichiro WATANABE |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東芝情報システム株式会社 Toshiba Information Systems (Japan) Corporation |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 村坂 佳隆 / Yoshitaka MURASAKA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社エイアールテック A-R-Tec Corporation |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 岩田 穆 / Atsushi IWATA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社エイアールテック A-R-Tec Corporation |
| 発表年月日 | 2005-05-27 |
| 資料番号 | ICD2005-39 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 96 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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