| 講演名 | 2005-01-27 レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡によるMOSトランジスタの観察(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般) 山下 将嗣, 川瀬 晃道, 大谷 知行, 二川 清, 斗内 政吉, |
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| 抄録(和) | 我々は新しい手法の半導体デバイス検査装置であるレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡(LTEM)の提案を行い、不良箇所絞り込み技術としての応用を目指して開発を進めている。LTEMは、フェムト秒レーザーパルスで走査した半導体デバイスから放射されるテラヘルツ電磁波の振幅のマッピングを行う装置であり、集積回路内の電界分布を非接触で測定することが可能である。これまでに良品と断線部位を有する動作状態のオペアンプについてLTEM像比較を行った結果、断線箇所周辺でLTEM像のパターンに明瞭な差異を確認している。本研究では無バイアス電圧下でも使用可能なデバイス故障箇所絞込み技術の開発を目指して、無バイアス電圧下においてTEG内のMOSFETのLTEM観察を行った。その結果、pn接合の空乏層から放射されるテラヘルツ電磁波の検出に成功し、MOSFET内の配線の一部を断線させた場合には、放射されるテラヘルツ電磁波の時間波形が反転することが確認された。 |
| 抄録(英) | We proposed and developed a laser THz emission microscope (LTEM) as a novel tool for inspecting electrical failures in semiconductor devices. LTEM provides an image reflecting the electric field distribution in LSI chip by scanning it with fs laser pulses. By comparing LTEM images of a normal chip and a damaged one, we observed the difference in the LTEM image near the damaged area. Here, we report the experimental result on non-biased MOSFETs embedded in a test element group. We found that the LTEM images of damaged samples changed from those of normal samples both under biased and non-biased condition. This indicates that the LTEM is a potential tool for inspecting electrical failures in circuits. |
| キーワード(和) | 故障箇所絞込み / テラヘルツ波 / フェムト秒レーザー |
| キーワード(英) | LSI / fault localization / THz emission / femtosecond laser |
| 資料番号 | CPM2004-160,ICD2004-205 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2005/1/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡によるMOSトランジスタの観察(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Observation of MOSFETs using laser THz-emission microscope |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 故障箇所絞込み / LSI |
| キーワード(2)（和/英） | テラヘルツ波 / fault localization |
| キーワード(3)（和/英） | フェムト秒レーザー / THz emission |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山下 将嗣 / Masatsugu Yamashita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 理化学研究所 RIKEN 2-1 Hirosawa |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川瀬 晃道 / Kodo Kawase |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 理化学研究所 RIKEN 2-1 Hirosawa |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大谷 知行 / Chiko Otani |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 理化学研究所 RIKEN 2-1 Hirosawa |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 二川 清 / Kiyoshi Nikawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | NECエレクトロニクス株式会社 NEC Electronics Corporation |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 斗内 政吉 / Masayoshi Tonouchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪大学レーザーエネルギー学研究センター Institute of Laser Engineering, Osaka University |
| 発表年月日 | 2005-01-27 |
| 資料番号 | CPM2004-160,ICD2004-205 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 628 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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