講演名 2005-01-27
作りこみ欠陥を有する完成チップの走査レーザSQUID顕微鏡による観測(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般)
酒井 哲哉, 二川 清,
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抄録(和) 我々は走査レーザSQUID顕微鏡のLSI検査・故障解析への適用にむけ研究、開発を行っている。今回まずロジック回路評価用TEG試料複数個に対して、走査レーザSQUID顕微鏡による観測を行った。その結果、同一観測条件ではそれらの試料で磁場強度像、磁場位相像の再現性が確認された。次に再現性が確認された試料に対して、集束イオンビーム(FIB)装置を用いて断線箇所の作りこみを実施した。断線箇所を作りこんだ試料に対し走査レーザSQUID顕微鏡観測を行った。その結果、従来困難であると考えられてきた走査レーザSQUID顕微鏡による観測のみで、試料内の断線箇所を絞り込める場合があることを確認できた。
抄録(英) We have been improving and evaluating this system. In this meeting, we report observation results of completed LSI after building-in defect using laser-SQUID microscopy. First, we took magnetic intensity and phase images from same kind of samples without building-in defects in same experimental condition. We got similar images from each samples. Secondary, we observed a sample that was made open-circuit by focused ion beam (FIB). Magnetic intensity image showed strong contrast at positions of built-in defects. The phase at opposite sides of built-in defects showed about 180-degree change. These results shows we can directly localize open interconnects using the scanning laser-SQUID microscope.
キーワード(和) 走査レーザSQUID顕微鏡 / 作りこみ欠陥 / 磁場強度像 / 磁場位相像 / 断線箇所絞り込み
キーワード(英) Scanning Laser-SQUID microscope / built-in defect / intensity image / phase image / Open-circuit localization
資料番号 CPM2004-158,ICD2004-203
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2005/1/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 作りこみ欠陥を有する完成チップの走査レーザSQUID顕微鏡による観測(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Observation of completed LSI after building-in defect using laser-SQUID microscopy
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 走査レーザSQUID顕微鏡 / Scanning Laser-SQUID microscope
キーワード(2)(和/英) 作りこみ欠陥 / built-in defect
キーワード(3)(和/英) 磁場強度像 / intensity image
キーワード(4)(和/英) 磁場位相像 / phase image
キーワード(5)(和/英) 断線箇所絞り込み / Open-circuit localization
第 1 著者 氏名(和/英) 酒井 哲哉 / T. Sakai
第 1 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社テスト評価技術開発事業部
Test Analysis Technology Development Division, NEC Electronics Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 二川 清 / K. Nikawa
第 2 著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社テスト評価技術開発事業部
Test Analysis Technology Development Division, NEC Electronics Corporation
発表年月日 2005-01-27
資料番号 CPM2004-158,ICD2004-203
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 628
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日