| 講演名 | 2005-01-27 SILプレートによる高分解能故障解析(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般) 吉田 岳司, 小山 徹, 小守 純子, 益子 洋治, |
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| 抄録(和) | 2002年、我々はSi基板を直接加工することによって固浸レンズ(SIL ; Solid Immersion Lens)として理想的な分解能及び検出性能が得られるFOSSIL(Forming Si Substrate into SIL)を開発した。但しFOSSILには視野が固定されるという制限があり、今回、視野移動が可能な"SILプレート"を開発した。SILプレートは装置構成を全く変更することなく、従来のSILでは不可能であったウエハ試料に対する適用が可能である。検出性能についてはFOSSILに比べ多少の分解能の劣化はあるものの、90nmデバイスに対してトランジスタレベルでの解析が可能であることを確認した。本技術は容易に適用が可能な実用的なSIL技術として有望である。 |
| 抄録(英) | We developped FOSSIL (Forming Si Substrate into SIL (Solid Immersion Lens)) technique that realized theoritical spatial resolution and detection performance as SIL by directly forming the Silicon in 2002. However there is restriction that a viewpoint is fixed with FOSSIL, this time, we developed SIL plate that enables to move viewpoint. SIL plate can be applied with wafer sample which is impossible for conventional SIL without changing equipment composition. About detection performance, we confiremed that spatial resolution of SIL plate less than that of FOSSIL, but SIL plate can realize transistor level analysis for devices of the 90nm node. This technique is promising as practical SIL technique that is easily applicable. |
| キーワード(和) | 発光解析 / OBIRCH解析 / 分解能 |
| キーワード(英) | Emission analysis / OBIRCH analysis / SIL (Solid Immersion Lens) / Resolution |
| 資料番号 | CPM2004-157,ICD2004-202 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
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| 開催期間 | 2005/1/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Integrated Circuits and Devices (ICD) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SILプレートによる高分解能故障解析(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-resolution failure analyisis with SIL plate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 発光解析 / Emission analysis |
| キーワード(2)（和/英） | OBIRCH解析 / OBIRCH analysis |
| キーワード(3)（和/英） | 分解能 / SIL (Solid Immersion Lens) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 吉田 岳司 / Takeshi Yoshida |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジー(株)生産技術本部ウエハプロセス技術統括部 Process & Device Analysis Enginnering Development LSI Manufactureing Technology Unit, Renesas Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小山 徹 / Tohru Koyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジー(株)生産技術本部ウエハプロセス技術統括部 Process & Device Analysis Engineering Development LSI Manufactureing Technology Unit, Renesas Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小守 純子 / Junko Komori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジー(株)生産技術本部ウエハプロセス技術統括部 Process & Device Analysis Engineering Development LSI Manufactureing Technology Unit, Renesas Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 益子 洋治 / Yoji Masiko |
| 第 4 著者 所属（和/英） | ルネサステクノロジー(株)生産技術本部ウエハプロセス技術統括部 Process & Device Analysis Engineering Development LSI Manufactureing Technology Unit, Renesas Technology |
| 発表年月日 | 2005-01-27 |
| 資料番号 | CPM2004-157,ICD2004-202 |
| 巻番号（vol） | vol.104 |
| 号番号（no） | 628 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |