講演名 2005-01-27
LSI断線箇所診断手法(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般)
小宮 泰麿, 菊地 修司, 嶋瀬 朗, 向川 一也,
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抄録(和) 近年の微細化や高集積化に伴い、LSIの断線不良箇所特定を目的に、LSIに変動電界を印加してオープンゲートを活性化し、発生する電源電流変動を検出することで断線不良箇所を特定する不良解析技術の研究・開発を行っている。本報告では探査原理に基づく試行システムを作成し、断線TEG用いた試行評価を行った。その結果、TEGの最上層配線(M3)、表層第2層配線(M2)、及び最下層配線(M1)の全てにおいて電源電流変動分布を確認出来、本診断手法の技術的有効性を確認する事が出来た。また電界印加距離の低減により、本診断手法における座標分解能の向上性について確認出来た。
抄録(英) For the purpose of locating an open-failure point in recent LSIs of higher integration, we propose an analysis technique using an alternating electric field to activate an open CMOS gate for triggering observable power supply current change. In this paper, our prototype diagnosis system and the evaluation results with an open failure TEG are introduced. As the result, for an open failure of the top wiring layer (M3), of the 2nd layer (M2), and of the bottom layer (M1), relevant power supply current change was detected and the technical validity of this diagnostic technique was confirmed.
キーワード(和) 不良解析 / 電界 / 断線不良
キーワード(英) Failure Analysis / LSI / Electric Field / Open Failure
資料番号 CPM2004-155,ICD2004-200
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2005/1/20(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) LSI断線箇所診断手法(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト実装, 一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Analysis Method of LSI open failure point
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 不良解析 / Failure Analysis
キーワード(2)(和/英) 電界 / LSI
キーワード(3)(和/英) 断線不良 / Electric Field
第 1 著者 氏名(和/英) 小宮 泰麿 / Yasumaro KOMIYA
第 1 著者 所属(和/英) 株式会社日立製作所生産技術研究所
Production Engineering Research Laboratory, Hitachi, Ltd
第 2 著者 氏名(和/英) 菊地 修司 / Shuji KIKUCHI
第 2 著者 所属(和/英) 株式会社日立製作所生産技術研究所
Production Engineering Research Laboratory, Hitachi, Ltd
第 3 著者 氏名(和/英) 嶋瀬 朗 / Akira SHIMASE
第 3 著者 所属(和/英) 株式会社ルネサステクノロジ生産本部
Production and Technology Unit, Renesas Technology Corp
第 4 著者 氏名(和/英) 向川 一也 / Kazuya MUKOGAWA
第 4 著者 所属(和/英) 株式会社ルネサステクノロジ生産本部
Production and Technology Unit, Renesas Technology Corp
発表年月日 2005-01-27
資料番号 CPM2004-155,ICD2004-200
巻番号(vol) vol.104
号番号(no) 628
ページ範囲 pp.-
ページ数 6
発行日