講演名 2004/1/29
裏面からの多層配線故障解析技術(LSIシステムの実装・モジュール化技術及びテスト技術,一般)
中嶋 太一, 小野山 歩, 吉田 映二, 小山 徹, 小守 純子, 益子 洋治,
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抄録(和) 裏面から配線構造を露出させ、電位コントラスト法を利用して多層配線構造内の故障箇所を特定する方法を開発した。本手法により、従来困難であった下層配線における故障箇所の検出が、短絡・非導通のいずれに対しても可能になる。また、任意のノートを対象とした効率的な観測が可能であると同時に、事前に厳密にノートを特定する必要がないといった特徴があり、実デバイスの多層配線部に対して効果的な解析手段になり得る。
抄録(英) We developed a new fault isolation technique for multiple interconnect structure in SOC devices, which applies the voltage contrast method from the rear side of the exposed metal interconnects. It makes possible to detect failure points in lower layers which it is difficult to be detected by conventional techniques. Also the technique realizes the efficient analysis, as it is possible to observe every exposed node of circuit.
キーワード(和) 多層配線 / 裏面 / 電位コントラスト
キーワード(英) Multiple Interconnects / Back side / Voltage contrast
資料番号 CPM2003-162,ICD2003-201
発行日

研究会情報
研究会 ICD
開催期間 2004/1/29(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Integrated Circuits and Devices (ICD)
本文の言語 JPN
タイトル(和) 裏面からの多層配線故障解析技術(LSIシステムの実装・モジュール化技術及びテスト技術,一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Back Side Failure Analysis Technique for Multiple Interconnects
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 多層配線 / Multiple Interconnects
キーワード(2)(和/英) 裏面 / Back side
キーワード(3)(和/英) 電位コントラスト / Voltage contrast
第 1 著者 氏名(和/英) 中嶋 太一 / T. Nakashima
第 1 著者 所属(和/英) ルネサスセミコンダクタエンジニアリング株式会社
Renesas Semiconductor Engineering Corporation
第 2 著者 氏名(和/英) 小野山 歩 / A. Onoyama
第 2 著者 所属(和/英) 三菱電機株式会社
Mitsubishi Electric Corporation
第 3 著者 氏名(和/英) 吉田 映二 / E. Yoshida
第 3 著者 所属(和/英) 株式会社ルネサステクノロジ
Renesas Technology Corporation
第 4 著者 氏名(和/英) 小山 徹 / T. Koyama
第 4 著者 所属(和/英) 株式会社ルネサステクノロジ
Renesas Technology Corporation
第 5 著者 氏名(和/英) 小守 純子 / J. Komori
第 5 著者 所属(和/英) 株式会社ルネサステクノロジ
Renesas Technology Corporation
第 6 著者 氏名(和/英) 益子 洋治 / Y. Mashiko
第 6 著者 所属(和/英) 株式会社ルネサステクノロジ
Renesas Technology Corporation
発表年月日 2004/1/29
資料番号 CPM2003-162,ICD2003-201
巻番号(vol) vol.103
号番号(no) 647
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日