| 講演名 | 2005/5/20 PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 藤岡 洋, 小林 篤, 太田 実雄, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | GaNに対して小さい格子不整をあたえるZnOの基板表面を原子レベルで平坦化した後、パルスレーザー堆積法(PLD法)によってGaN薄膜を成長した。PLD法はIII族原料を高いエネルギーで基板に供給するので成長温度の低温化が可能となり、室温においてもエピタキシャル成長が実現した。また、この低温化によって窒化物薄膜と基板間の界面反応が抑制され、結晶の品質やモフォロジーが改善されることがわかった。ZnO基板上では室温においてもGaN薄膜がlayer-by-layer成長し、その表面はステップ・テラス構造を有していることが分かった。室温エピタキシャル成長によってGaN/基板間の界面急峻性が実現されることから、格子整合基板の特徴が生かされ、良質なGaN薄膜が成長すると考えられる。 |
| 抄録(英) | We have investigated characteristics of GaN grown on nearly lattice-matched ZnO substrates by the use of pulsed laser deposition (PLD) at low substrate temperatures. It has been found that the interfacial reactions between GaN and the substrates are suppressed with the reduction of the growth temperature and high quality GaN grows epitaxially at room temperature on the chemically vulnerable ZnO substrates. RHEED observations have revealed that these films grow with the layer-by-layer mode and the atomically flat surfaces with stepped and terraced structures are obtained. |
| キーワード(和) | 室温成長 / エピタキシャル成長 |
| キーワード(英) | Windows / Word / Technical Report / Template |
| 資料番号 | ED2005-51,CPM2005-43,SDM2005-51 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2005/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | PLD法による室温成長GaNの特性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of GaN grown at room temperature by PLD |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 室温成長 / Windows |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャル成長 / Word |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 藤岡 洋 / Hiroshi FUJIOKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所:神奈川科学技術アカデミー Institute of Industrial Science, The University of Tokyo:Kanagawa Academy of Science and Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小林 篤 / Atsushi KOBAYASHI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 神奈川科学技術アカデミー Kanagawa Academy of Science and Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 太田 実雄 / Jitsuo OHTA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京大学生産技術研究所:神奈川科学技術アカデミー Institute of Industrial Science, The University of Tokyo:Kanagawa Academy of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2005/5/20 |
| 資料番号 | ED2005-51,CPM2005-43,SDM2005-51 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 94 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |