| 講演名 | 2005/5/20 バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 長谷 吉起, 楠 真一郎, 土田 良彦, 小野 善伸, 西川 直宏, 三宅 秀人, 平松 和政, |
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| 抄録(和) | 選択横方向成長(ELO)は貫通転位(TD)密度が低い高品質のGaNエピタキシャル膜を作製する技術として非常に有用である。我々は, 選択成長で形成されるファセット形態を制御することで, 転位の伝搬を制御する技術であるFACELO法を提案してきた。本研究では, 低温GaNバッファ層上にFACELOを行い, 厚さ35μmのGaNを成長させた。GaNとサファイアとの格子定数差と熱膨張係数によりGaNの剥離が生じて, 縦10mm, 横20mmのGaN自立結晶を得た。試料の反りによる影響をX線回折測定においてスリット幅を変えることによって調べた。 |
| 抄録(英) | Epitaxial lateral overgrowth(ELO) is a promising technique to obtain a high-quality epitaxial GaN layer with low threading-dislocation(TD) density. We proposed facet controlled ELO (FACELO) technique to control the propagation of the dislocation by varying the facet structure with selective area growth. In this work, 35μm thick GaN was grown using FACELO on low temperature GaN buffer layer. Free-standing GaN of the sample of 10×20mm area was obtained utilizing the thermal-expansion coefficient difference between GaN and sapphire. The influence of wafer bending on a full width at half maximum (FWHM) of X-ray diffraction (XRD) was studied by using the XRD equipment with varying slit widths. |
| キーワード(和) | ファセット制御ELO / バッファ層 / 自立基板 |
| キーワード(英) | GaN / facet controlled ELO / FACELO / buffer layer / free-standing substrate |
| 資料番号 | ED2005-49,CPM2005-41,SDM2005-49 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/5/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | バッファ層上にマスクを形成したGaNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ELO of GaN on buffer layer with mask pattern |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ファセット制御ELO / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | バッファ層 / facet controlled ELO |
| キーワード(3)（和/英） | 自立基板 / FACELO |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 長谷 吉起 / Yoshiki Hase |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 楠 真一郎 / Shinichiro Kusunoki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 土田 良彦 / Yoshihiko Tsuchida |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 住友化学株式会社筑波研究所 Tsukuba Research Laboratory, Sumitomo Chemical Co., Ltd. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 小野 善伸 / Yoshinobu Oda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 住友化学株式会社筑波研究所 Tsukuba Research Laboratory, Sumitomo Chemical Co., Ltd. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 西川 直宏 / Naohiro Nishikawa |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 住友化学株式会社筑波研究所 Tsukuba Research Laboratory, Sumitomo Chemical Co., Ltd. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 発表年月日 | 2005/5/20 |
| 資料番号 | ED2005-49,CPM2005-41,SDM2005-49 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 94 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |