| 講演名 | 2005/5/20 (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 彦坂 年輝, 小出 典克, 本田 善央, 山口 雅史, 澤木 宣彦, |
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| 抄録(和) | (001)Si傾斜基板上への常圧選択MOVPE成長法により、(1-101)面を表面とするGaNが作製できる。この方法で得られるGaN(1-101)面は窒素面となり、ガリウムを最表面とする(0001)面とは、成長モードや不純物の取り込みが異なると予想される。実際、この(1-101)GaNはノンドーピングでp型伝導性を示した。この試料にSiドーピングを行った結果、p型伝導からn型伝導へと変化した。一方、Cドーピングでは試料はすべてp型伝導を示し、ドーピングによる正孔濃度の増加が確認された。これは(1-101)面においてSiはドナー不純物、Cはアクセプター不純物として働くことを示唆しており、p型伝導はCの窒素原子との置換によるものであると考えられる。 |
| 抄録(英) | Using a selective MOVPE method, (1-101)GaN was grown on a 7-degree off-axis (001)Si substrate. The top (1-101) surface of the sample was terminated with N, which is contrast to that the (0001) face is terminated with Ga. The doping of Si and C was attempted to control the type of conduction. A nominally undoped GaN/AlN heterostructure showed p-type conduction. The doping of Si changed the type of conduction from p-type to n-type. On the other hand, the hole concentration increased with the C doping level. These results proves that Si acts as a donor and C acts as an acceptor in (1-101)GaN. We might conclude that the p-type conduction is due to the incorporation of C on the top surface of the N face of the GaN. |
| キーワード(和) | 選択成長 / Siドーピング / Cドーピング |
| キーワード(英) | (1-101)GaN / MOVPE / Selective Area Growth / Si doping / C doping |
| 資料番号 | ED2005-47,CPM2005-39,SDM2005-47 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/5/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | (001)Si傾斜基板上(1-101)GaNへのSiおよびCドーピング(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The effect of Si and C doping to the (1-101)GaN grown on a 7-degree-off oriented (001)Si substrate |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 選択成長 / (1-101)GaN |
| キーワード(2)（和/英） | Siドーピング / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | Cドーピング / Selective Area Growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 彦坂 年輝 / Toshiki HIKOSAKA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Electronics, Nagoya University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小出 典克 / Norikatsu KOIDE |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Electronics, Nagoya University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 本田 善央 / Yoshio HONDA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Electronics, Nagoya University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山口 雅史 / Masahito YAMAGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科 Department of Electronics, Nagoya University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 澤木 宣彦 / Nobuhiko SAWAKI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋大学工学研究科:赤崎記念研究センター Department of Electronics, Nagoya University:Akasaki Research Center, Nagoya University |
| 発表年月日 | 2005/5/20 |
| 資料番号 | ED2005-47,CPM2005-39,SDM2005-47 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 94 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |