| 講演名 | 2005/5/20 AlGaN/GaN構造に形成したショットキー接合の漏れ電流制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 金子 昌充, 橋詰 保, |
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| 抄録(和) | AlGaN/GaNヘテロ構造上に形成したショットキー接合の電流-電圧(I-V)特性の詳細な評価を行った結果、トンネル輸送成分が漏れ電流に大きく寄与していることが分かった。これを制御するプロセスとして、超高真空中におけるAl超薄膜形成とアニールを提案し、このプロセスを行った表面に形成したショットキー接合では、漏れ電流へのトンネル輸送成分の寄与が減少することを示した。XPSの分析結果より、漏れ電流低減の理由として、表面欠陥の回復あるいは酸素ドナーのゲッタリングの可能性が考えられる。 |
| 抄録(英) | This paper presents surface-control process for controlling leakage currents through Schottky interfaces upon AlGaN/GaN heterostructures. From the detailed I-V-T characteristics, the leakage currents depend on the tunneling transport through Schottky interfaces. It is observed that the contribution of tunneling transports to leakage currents drastically decrease after the process including ultrathin Al deposition and UHV anneal. From the XPS analysis, this may result from the curing of surface defects or gettering of oxygen donors near the AlGaN surface. |
| キーワード(和) | ショットキー接合 / リーク電流 / 表面 / 欠陥 / 酸素不純物 |
| キーワード(英) | GaN / AlGaN / Schottky interface / leakage current / surface / defect / oxygen impurity |
| 資料番号 | ED2005-45,CPM2005-37,SDM2005-45 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/5/20(から1日開催) |
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| テーマ（英） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN構造に形成したショットキー接合の漏れ電流制御(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Control of leakage currents in AlGaN/GaN Schottky interfaces |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ショットキー接合 / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | リーク電流 / AlGaN |
| キーワード(3)（和/英） | 表面 / Schottky interface |
| キーワード(4)（和/英） | 欠陥 / leakage current |
| キーワード(5)（和/英） | 酸素不純物 / surface |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 金子 昌充 / Masamitsu KANEKO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 橋詰 保 / Tamotsu HASHIZUME |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター Research Center for Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University |
| 発表年月日 | 2005/5/20 |
| 資料番号 | ED2005-45,CPM2005-37,SDM2005-45 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 94 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |