講演名 | 2005/5/20 格子整合系InGaPN/GaPの光学特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 若原 昭浩, 今西 友晴, 金 聖晩, 古川 雄三, 米津 宏雄, |
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抄録(和) | GaPNやInGaPNは組成をコントロールすることでSiに格子整合可能であり, 無転位な高品質InGaPNヘテロエピ層が実現可能である。これによりSi系デバイスとInGaPN系発光デバイスを融合させた光電子集積回路が可能となる。しかし、Siに格子整合したInGaPNのバンド構造および光学定数はよく分かっていないのが現状である。本研究では, 格子定数が一定となるInGaPNの基礎的な特性を明らかにするため, GaP基板に格子整合したInGaPNを作製し, その光学特性の組成依存性を調べ, InGaPNのバンド構造の検討を行った。 |
抄録(英) | Optical properties of strain-free InGaPN epilayer on GaP substrates were investigated. Both photoluminescence peak energy and transition energies obtained from spectroscopic ellipsometry were analyzed by means of band anti-crossing (BAC) model. The interaction parameter V_ |
キーワード(和) | III-V-N混晶 / 光学的特性 / バンド構造 |
キーワード(英) | III-V-N alloy semiconductor / optical properties / band structure |
資料番号 | ED2005-44,CPM2005-36,SDM2005-44 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2005/5/20(から1日開催) |
開催地(和) | |
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講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | 格子整合系InGaPN/GaPの光学特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Optical Properties of Strain Free InGaPN Layers on GaP Substrate |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | III-V-N混晶 / III-V-N alloy semiconductor |
キーワード(2)(和/英) | 光学的特性 / optical properties |
キーワード(3)(和/英) | バンド構造 / band structure |
第 1 著者 氏名(和/英) | 若原 昭浩 / Akihiro WAKAHARA |
第 1 著者 所属(和/英) | 電気・電子工学系:インテリジェント・センシング・システム・リサーチセンター Department of Electrical & Electronic Engineering:Intelligent Sensing System Research Center |
第 2 著者 氏名(和/英) | 今西 友晴 / Tomoharu IMANISHI |
第 2 著者 所属(和/英) | 電気・電子工学系 Department of Electrical & Electronic Engineering |
第 3 著者 氏名(和/英) | 金 聖晩 / San Man KIM |
第 3 著者 所属(和/英) | 電気・電子工学系 Department of Electrical & Electronic Engineering |
第 4 著者 氏名(和/英) | 古川 雄三 / Yuzo FURUKAWA |
第 4 著者 所属(和/英) | 電気・電子工学系:インテリジェント・センシング・システム・リサーチセンター Department of Electrical & Electronic Engineering:Intelligent Sensing System Research Center |
第 5 著者 氏名(和/英) | 米津 宏雄 / Hiroo YONEZU |
第 5 著者 所属(和/英) | 電気・電子工学系:インテリジェント・センシング・システム・リサーチセンター Department of Electrical & Electronic Engineering:Intelligent Sensing System Research Center |
発表年月日 | 2005/5/20 |
資料番号 | ED2005-44,CPM2005-36,SDM2005-44 |
巻番号(vol) | vol.105 |
号番号(no) | 94 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |