| 講演名 | 2005/5/20 RF-MBE成長したInN薄膜に対する熱酸化処理の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 荒木 努, 米田 亮太郎, 早川 祐矢, 萬 謙太郎, 直井 弘之, 鈴木 彰, 名西 惠之, |
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| 抄録(和) | InNは近年、バンドギャップの値が～0.7eVと見直され、高速・高周波電子デバイス用材料としてだけでなく、光通信用発光デバイス、高効率太陽電池などへの応用が期待されている材料である。本論文では、InN表面の熱的安定性に着目し、様々な酸化処理による影響を検討した。酸化処理として、大気中での自然酸化、酸素雰囲気中での熱酸化、大気中での熱酸化を行い、酸化前後でのInNの表面化学結合状態、表面モフォロジー、結晶構造、光学的特性における変化を検討した。その結果、酸素雰囲気中で熱酸化処理を行った場合にはInN表面のみ酸化が進行するが、大気中熱酸化処理を施した場合には、InNがほぼ完全にIn_2O_3へと変化することがわかった。 |
| 抄録(英) | Since it was found that the optical band-gap energy of InN is around 0.7eV rather than the accepted value of 1.9eV, the research on InN has attracted much bigger attentions. However, there are very few reports on thermal stability of InN. In this paper, we study on influences of thermal oxidation of InN in the oxygen ambient and the air on the chemical properties of the InN surface and the structural and optical properties. The oxidation of the InN films was confirmed to promote the formation of In_2O_3, which had a remarkable influence on optical properties of the InN films. |
| キーワード(和) | 酸化 |
| キーワード(英) | InN / oxidation / XPS / In_2O_3 |
| 資料番号 | ED2005-43,CPM2005-35,SDM2005-43 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF-MBE成長したInN薄膜に対する熱酸化処理の影響(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influences of Thermal Oxidation on Properties of Indium Nitride Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化 / InN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 荒木 努 / Tsutomu ARAKI |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 College of Science & Engineering, Ritsumeikan Univ. |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 米田 亮太郎 / Ryotaro YONEDA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 College of Science & Engineering, Ritsumeikan Univ. |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 早川 祐矢 / Yuya HAYAKAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 College of Science & Engineering, Ritsumeikan Univ. |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 萬 謙太郎 / Kentaro YOROZU |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 College of Science & Engineering, Ritsumeikan Univ. |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 直井 弘之 / Hiroyuki NAOI |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 立命館大学COE推進機構 Center for Promotion of the COE Program, Ritsumeikan Univ. |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 鈴木 彰 / Akira SUZUKI |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 立命館大学総合理工学研究機構 Center for Promotion of the COE Program, Ritsumeikan Univ. |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 名西 惠之 / Yasushi NANISHI |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 College of Science & Engineering, Ritsumeikan Univ. |
| 発表年月日 | 2005/5/20 |
| 資料番号 | ED2005-43,CPM2005-35,SDM2005-43 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 94 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |