| 講演名 | 2005/5/20 KOH水溶液を用いたInNの極性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 武藤 大祐, 荒木 努, 直井 弘之, 名西 惠之, |
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| 抄録(和) | KOH水溶液を用いた、InNの極性評価について報告する。RF-MBE法を用いて、In極性およびN極性InNをサファイア基板上に作製した。作製した両サンプルは、KOH水溶液10mol/lを用いて、20～120分間エッチングを行った。N極性InNを長時間エッチングした結果、六角錘状の突起が現れた。一方、In極性InNの場合、転位に起因すると思われる逆六角錘及びドット状のエッチピットが現れた。極性の違いによりエッチング後の表面モフォロジーが明らかに異なり、KOH水溶液を用いてInNの極性を簡便に評価できることがわかった。 |
| 抄録(英) | We have succeeded in distinguishing the polarities of InN by wet etching using KOH solutions. In- and N-polar InN films were grown on (0001) sapphire substrates by RF-MBE. Each InN film was etched by a 10mol/l KOH solution for 20～120 min at room temperature. We found the N-polar InN was etched roughly and hexagonal pyramids surrounded by {10-1-1} facets appeared after longer term of etching. On the other hand, the In-polar InN was etched smoothly and hexagonal and dot type etch pits were observed after longer term of etching. These results confirm that the polarity of InN can be determined easily by wet etching using KOH solution. |
| キーワード(和) | 極性 / ウェットエッチング / エッチピット密度 |
| キーワード(英) | InN / Polarity / Wet etching / KOH / etch pit density / RF-MBE |
| 資料番号 | ED2005-41,CPM2005-33,SDM2005-41 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/5/20(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | KOH水溶液を用いたInNの極性評価(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Polarity determination of InN using KOH solutions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極性 / InN |
| キーワード(2)（和/英） | ウェットエッチング / Polarity |
| キーワード(3)（和/英） | エッチピット密度 / Wet etching |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 武藤 大祐 / Daisuke MUTO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Department of Photonics, Ritsumeikan University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 荒木 努 / Tsutomu ARAKI |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Department of Photonics, Ritsumeikan University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 直井 弘之 / Hiroyuki NAOI |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 立命館大学COE推進機構 Center for Promotion of the COE Program, Ritsumeikan University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 名西 惠之 / Yasushi NANISHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 立命館大学理工学部 Department of Photonics, Ritsumeikan University |
| 発表年月日 | 2005/5/20 |
| 資料番号 | ED2005-41,CPM2005-33,SDM2005-41 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 94 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |