| 講演名 | 2005/5/20 ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 淀 徳男, 田本 清温, 嶋田 照也, 二口 博行, 藤井 洋平, 真岡 岳史, 原田 義之, |
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| 抄録(和) | InNはIII族窒化物半導体の中で最も電子の有効質量が小さく、その電子移動度やドリフト飽和速度が最も大きいことから高速電子デバイス用材料として注目されている。また、InNは最近までそのバンドギャップエネルギーは1.9eVと考えられていたが、近年InNの結晶成長技術の向上により結晶性の良い六方晶InN単結晶が作製されるようになり、そのバンドギャップエネルギーは0.8eV以下とする報告が多くの研究機関からなされ、近赤外域領域の発光素子材料としても見直され始めている。我々はGaAs(001)just基板上に窒化処理を行った後、InN薄膜を成長すると比較的結晶性の良い六方晶InN薄膜が作製できることを確認した。今回そのメカニズム解明と結晶性向上を目的とした種々の実験を行った。 |
| 抄録(英) | Hexagonal InN has recently been given much attention as a material for high-speed electron device because of the smallest effective electron mass, the highest electron mobility and the fastest drift velocity of III-nitride semiconductors. Although the band-gap energy has been long believed to be 1.9eV, it has been recently modified by many researchers to be below 0.8eV, accompanied with drastic improvement of growth techniques, and reconsidered as a material of near-far infrared light emitting devices (LEDs). We have grown high-quality hexagonal InN films on nitride-treated GaAs(001) substrates for developing low-cost full-color LED. In this report, we estimate the film characteristics and clarify the optimum growth process for obtaining hexagonal InN films with high quality. |
| キーワード(和) | 六方晶InN / ECR-MBE法 / GaAs(001)基板 / 基板窒化 |
| キーワード(英) | Hexagonal InN / ECR-plasma assisted MBE / GaAs(001) substrate / substrate nitridation |
| 資料番号 | ED2005-40,CPM2005-32,SDM2005-40 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ECR-MBE法を用いたGaAs基板上六方晶InNの薄膜成長(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial growth of hexagonal InN films on GaAs substrates by electron cyclotron plasma-assisted MBE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 六方晶InN / Hexagonal InN |
| キーワード(2)（和/英） | ECR-MBE法 / ECR-plasma assisted MBE |
| キーワード(3)（和/英） | GaAs(001)基板 / GaAs(001) substrate |
| キーワード(4)（和/英） | 基板窒化 / substrate nitridation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 淀 徳男 / Tokuo YODO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田本 清温 / Kiyonaga TAMOTO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 嶋田 照也 / Teruya SHIMADA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 二口 博行 / Hiroyuki NIGUCHI |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤井 洋平 / Youhei FUJII |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 真岡 岳史 / Takefumi MAOKA |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部電子情報通信工学科 Electronics, Information and Communication Engineering, Osaka Institute of Technology |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 原田 義之 / Yoshiyuki HARADA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 大阪工業大学工学部一般教育科 Applied Physics, Osaka Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/5/20 |
| 資料番号 | ED2005-40,CPM2005-32,SDM2005-40 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 94 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |