| 講演名 | 2005/5/20 MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 石川 博康, 日比野 聡彦, 江川 孝志, |
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| 抄録(和) | 有機金属気相成長法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討を行った。テンプレートの有無に影響とテンプレートの極性による影響を調べるため、サファイア基板上に低温GaNバッファ層および高温成長AlGaN/AlN中間層を介してGa極およびN極GaNテンプレートを作製した。Ga極GaNテンプレート上にInNを成長させることにより、グレインが大きくなること、結晶面の揺らぎが減ること、電気的特性が向上することがわかった。成長温度の上昇と共に電気的特性が向上するが、グレインが大きくなって表面平坦性が悪化した。一方、N極GaNテンプレート上にInNを成長させると、グレインが二次元状になり平坦膜を得ることができた。Ga極テンプレート上InNよりキャリア密度が一桁大きいが同キャリア密度で比較すると移動度が大きいという特性を得た。 |
| 抄録(英) | We investigated the impact of GaN templates on the growth of InN thin films using a metalorganic chemical vapor deposision (MOCVD) method. Full-width at half-maximum values of X-ray rocking curve for both InN (0002) and (10-12) decreased by using conventional two-step-grown Ga-polar GaN/sapphire templates. With the increase of InN growth temperature, Hall electron mobilities increased while surface roughnesses increased due to larger InN grain size On the other hand, InN films grown on N-polar GaN/AlGaN/AlN/sapphire templates revealed flat surface morphologies. This implies polarity control of GaN templates plays important role in flat InN films using a MOCVD method. |
| キーワード(和) | GaNテンプレート / 極性(Ga極、N極) |
| キーワード(英) | InN / GaN template / polarity (Ga-polar, N-polar) / MOCVD |
| 資料番号 | ED2005-38,CPM2005-30,SDM2005-38 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Impact of GaN templates on MOCVD growth of InN thin films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaNテンプレート / InN |
| キーワード(2)（和/英） | 極性(Ga極、N極) / GaN template |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 石川 博康 / Hiroyasu ISHIKAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 日比野 聡彦 / Toshihiko HIBINO |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学大学院 Department of Engineering Physics, Electronics and Mechanics Graduate School of Engineering, Nagoya Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi EGAWA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/5/20 |
| 資料番号 | ED2005-38,CPM2005-30,SDM2005-38 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 94 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |