| 講演名 | 2005/5/20 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 仲野 靖孝, 井村 将隆, 成田 剛, 北野 司, 藤元 直樹, バラクリッシュナン クリッシュナン, 津田 道信, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, |
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| 抄録(和) | サファイア基板に周期溝を形成し、MOVPE法により高温でAlNを成長させた。サファイアの溝はAlNが横方向成長して埋め込まれており、AFMでは、AlN表面は原子レベルで平坦であった。また、透過電子顕微鏡観察によれば、溝のないサファイア基板上に成長させたものと比較すると、転位密度は半分以下にまで低減しているのが確認された。 |
| 抄録(英) | AlN epitaxial layers have been grown on patterned trench substrates of sapphire having trench structure. Trench of the sapphire was fully embedded by the laterally grown AlN. AlN thus obtained shows atomically flat surface. Dislocation density of ELO-AlN is reduced to be less than a half that in AlN directly grown on the sapphire substrate. |
| キーワード(和) | ELO成長 / サファイア基板 / 高温MOVPE |
| キーワード(英) | AlN / ELO / sapphire substrate / HT-MOVPE / TEM |
| 資料番号 | ED2005-37,CPM2005-29,SDM2005-37 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/5/20(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高温MOVPE法により作製したELO-AlNの微細構造観察(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Microstructure of ELO-AlN grown by HT-MOVPE |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ELO成長 / AlN |
| キーワード(2)（和/英） | サファイア基板 / ELO |
| キーワード(3)（和/英） | 高温MOVPE / sapphire substrate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 仲野 靖孝 / Kiyotaka NAKANO |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科:21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21_ |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 井村 将隆 / Masataka IMURA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科:21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21_ |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 成田 剛 / Go NARITA |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科:21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21_ |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 北野 司 / Tsukasa KITANO |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科:21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21_ |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 藤元 直樹 / Naoki FUJIMOTO |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科:21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21_ |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | バラクリッシュナン クリッシュナン / Krishnan BALAKRISHNAN |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科:21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21_ |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 津田 道信 / Michinobu TSUDA |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科:21世紀COEプログラムナノファクトリー:京セラ株式会社単結晶事業部 Faculty of Science and Technology, 21_ |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki IWAYA |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科:21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21_ |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi KAMIYAMA |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科:21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21_ |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / Hiroshi AMANO |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科:21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21_ |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / Isamu AKASAKI |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 名城大学理工学研究科:21世紀COEプログラムナノファクトリー Faculty of Science and Technology, 21_ |
| 発表年月日 | 2005/5/20 |
| 資料番号 | ED2005-37,CPM2005-29,SDM2005-37 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 94 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
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