| 講演名 | 2005/5/20 サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 成田 剛, 藤元 直樹, 広瀬 貴利, 北野 司, 川島 毅士, 飯田 一喜, 津田 道信, バラクリシュナン クリシュナン, 岩谷 素顕, 上山 智, 天野 浩, 赤崎 勇, |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 深紫外光デバイス材料としてIII族窒化物半導体、特にAlNは最適な材料であるが、その高品質結晶を得ることは非常に難しい。同じIII族窒化物半導体であるGaNの高品質化の手法としては選択横方向成長法(ELO)が良く用いられているが、AlNにおいてELOによる結晶の高品質化は、結晶成長が難しいなどの理由により報告例はない。本研究では、AlNのELOを検討し、成長方法を工夫すること、成長条件を最適化することにより横方向成長を確認することができたので報告する。 |
| 抄録(英) | Epitaxial lateral overgrowth technique, which is well known for the growth of low dislocation density GaN, was applied to grow AlN by MOVPE. Low-dislocation density AlN can be grown on the sapphire substrate by optimizing growth conditions, especially the growth temperature. RMS value of less than 0.1nm was realized. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | AlN / Sapphire / ELO |
| 資料番号 | ED2005-36,CPM2005-28,SDM2005-36 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2005/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | サファイア溝基板上AlNのELO(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | ELO of AlN on patterned sapphire substrates |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / AlN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 成田 剛 / G. Narita |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤元 直樹 / N. Fujimoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 広瀬 貴利 / Y. Hirose |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 北野 司 / T. Kitano |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 川島 毅士 / T. Kawashima |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 飯田 一喜 / K. Iida |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 津田 道信 / M. Tsuda |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー:京セラ株式会社 Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | バラクリシュナン クリシュナン / K. Balakrishnan |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / M. Iwaya |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / S. Kamiyama |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 11 著者 氏名（和/英） | 天野 浩 / H. Amano |
| 第 11 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 第 12 著者 氏名（和/英） | 赤崎 勇 / I. Akasaki |
| 第 12 著者 所属（和/英） | 名城大学大学院・理工学研究科:名城大学大学院・理工学研究科・21世紀COEナノファクトリー Faculty of Science and Technology, Meijo University, 21^ |
| 発表年月日 | 2005/5/20 |
| 資料番号 | ED2005-36,CPM2005-28,SDM2005-36 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 94 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |