| 講演名 | 2005/5/20 HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) 辻澤 健一, 田鍋 智章, 阿部 晃久, 劉 玉懐, 三宅 秀人, 平松 和政, |
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| 抄録(和) | AlGaN系の深紫外発光デバイス, 高周波・高出力電子デバイス作製用の基板材料として高品質な厚膜AlN単結晶が必要である.高品質な厚膜作製に適した結晶成長法にHVPE法があるが, AlNについては高品質な厚膜結晶は得られていない.本研究では, 減圧HVPE法によりAlNエピタキシャル膜及びサファイアを下地基板として用いてAlN成長を行い, その表面観察及び結晶性の評価を行った.成長温度を1150℃以上としてかつ成長速度を20μm/h以下にすることで, 表面が無色な鏡面のAlN膜を得た.(0002)回折XRC-FWHMの最小値は成長速度3.2μm/hでAlNエピタキシャル膜上に成長させたAlN膜で得られ, 46 arcsecであった. |
| 抄録(英) | AlN is very important as a substrate material for fabricating AlGaN-based deep UV light emitting devices and high frequency, high power devices. Hydride vapor phase epitaxy (HVPE) is suitable for growth of high-quality thick film. However, high-quality thick AlN epilayers have not been obtained so far by HVPE. In this study, AlN films were grown by low pressure HVPE on epitaxial AlN film and Sapphire substrate. Colorless AlN films with mirror like surface were obtained at growth temperature above 1150℃ with growth rate below 20μm/h. The minimum full width at half maximum value of (0002) X-ray rocking curve is 46 arcsec for the film grown on epitaxial AlN film with growth rate of 3.2μm/h. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | AlGaN / AlN / LP-HVPE |
| 資料番号 | ED2005-34,CPM2005-26,SDM2005-34 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/5/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | HVPE法によるAlN厚膜の作製(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Thick AlN Film by Hydride Vapor Phase Epitaxy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / AlGaN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 辻澤 健一 / Kenichi Tsujisawa |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田鍋 智章 / Tomoaki Tanabe |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 阿部 晃久 / Teruhisa Abe |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 劉 玉懐 / Yuhuai Liu |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三重大学工学部電気電子工学科 Faculty of Eng., Mie University |
| 発表年月日 | 2005/5/20 |
| 資料番号 | ED2005-34,CPM2005-26,SDM2005-34 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 94 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | |