| 講演名 | 2005/4/15 ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般) 中川 豪, 柴田 憲利, 浅野 種正, |
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| 抄録(和) | 電気的に活性な不純物であるB及びPをドーピングしたa-Si薄膜に金属誘起横方向固相結晶化(metal induced lateral crystallization : MILC)を行い、MILC成長態様におけるドーパント不純物の導入効果を調査した。Bを導入した場合、巨視的な結晶の横方向成長速度はドーズ量の増加に伴い線形的に増加した。結晶化温度を下げて針状Si結晶の成長を微視的に観察すると、NiSi_2結晶片の方向転換や分岐がノンドープ膜に比べてより激しく起こり、かつ針状Siからのエピタキシャル成長も促進されて成長フロントまで膜全体が密に結晶化した。一方、Pを導入した場合は、ドーズ量が2×10^<15>cm^<-2>に達すると成長速度は逆に減速された。これはPがa-Si中でのNiの拡散を阻害していることを示唆している。微視的な結晶態様で特徴的な点として、Pを導入した場合にはより直線状の針状Siが成長しやすくなることが分かった。MILCによって針状のSi結晶が生成されると同時に即座にそれがエピタキシャル成長で幅方向に拡がるため、NiSi_2結晶片の方向変化が阻止されて針状Si結晶の直進性が増すものと推察される。 |
| 抄録(英) | The characteristics of metal induced lateral crystallization (MILC) of B (BF_2)- or P-doped a-Si thin films have been investigated. Lateral growth rate in B-doped films was increased compared with that in non-doped films (conventional MILC) at 590℃. It was also found that lateral growth rate is proportional to the B dose. At low annealing temperature, needle-like Si crystallites were observed to frequently change the growth direction and branching of the crystallite during growth frequently took place in B-doped films. Besides, B-doped a-Si was densely crystallized from Ni-supply region to growth front because the epitaxial growth of a-Si from needle-like Si crystallites was enhanced by the doping effect of B atoms. On the other hand, lateral growth rate in P-doped films was decreased when the P dose is 2×10^<15>cm^<-2>. This result indicates that P atoms introduced into a-Si interrupt the diffusion of Ni. It is noteworthy that the side of needle-like Si crystallites in P-doped films are covered with the epitaxially grown crystals and consequently straightly grow. This result suggests that "turn or branch" of NiSi_2 precipitate is prevented because the width of the crystallite broadens by the epitaxial growth as soon as the needle-like Si grows by MILC |
| キーワード(和) | 多結晶シリコン / 金属誘起横方向固相結晶化 / ドーパント不純物 / 針状Si結晶 / ニッケルシリサイド / エピタキシャル成長 |
| キーワード(英) | poly-Si / metal induced lateral crystallization / dopant / needle-like Si / NiSi_2 / epitaxial growth |
| 資料番号 | ED2005-15,SDM2005-15,OME2005-15 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/4/15(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ドーピングしたa-Si薄膜の金属誘起横方向固相結晶化特性(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Metal Induced Lateral Crystallization of Doped Amorphous Si Films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶シリコン / poly-Si |
| キーワード(2)（和/英） | 金属誘起横方向固相結晶化 / metal induced lateral crystallization |
| キーワード(3)（和/英） | ドーパント不純物 / dopant |
| キーワード(4)（和/英） | 針状Si結晶 / needle-like Si |
| キーワード(5)（和/英） | ニッケルシリサイド / NiSi_2 |
| キーワード(6)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中川 豪 / Gou NAKAGAWA |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 柴田 憲利 / Noritoshi SHIBATA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa ASANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/4/15 |
| 資料番号 | ED2005-15,SDM2005-15,OME2005-15 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 21 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | |