講演名 2005/4/15
Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
佐道 泰造, 竹内 悠, 権丈 淳, 宮尾 正信,
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抄録(和) 分子ビーム堆積法(FeとSiの同時供給)を用い, Si基板上におけるシリサイド強磁性体Fe_3Siのエピタキシャル成長を検討した.X線回折測定の結果, 堆積温度(30-300℃)でFe_3Si相が形成され, 堆積温度(400℃)では, FeSi相が形成されることが判った.高温堆積(400℃)でのFeSi相の形成は, 基板からのSi供給に起因する.透過型電子顕微鏡測定の結果, Si(111)基板上では, Fe_3Si(111)薄膜がエピタキシャル成長する事が判明した.一方, Si(100)基板上では, 多結晶Fe_3Siが形成された.Fe_3Si(111)薄膜の磁気特性を評価した結果, 180°周期の面内磁気異方性が観測された.
抄録(英) Epitaxial growth of ferromagnetic silicide Fe_3Si on Si was investigated. The Fe_3Si was formed by the molecular beam epitaxy technique with the substrate temperatures of 30-300℃. The results of XRD and TEM measurements suggested that Fe_3Si (111) layers were epitaxially grown on Si (111), although random Fe_3Si crystal grains were formed on Si (100). Magnetic properties of the formed layers were also discussed.
キーワード(和) シリサイド強磁性体 / 分子ビームエピタキシー法
キーワード(英) Ferromagnetic silicide / Fe_3Si / Molecular beam epitaxy
資料番号 ED2005-13,SDM2005-13,OME2005-13
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2005/4/15(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 JPN
タイトル(和) Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Epitaxial Growth of Fe_3Si Thin Layer on Si Substrate
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) シリサイド強磁性体 / Ferromagnetic silicide
キーワード(2)(和/英) 分子ビームエピタキシー法 / Fe_3Si
第 1 著者 氏名(和/英) 佐道 泰造 / Taizoh SADOH
第 1 著者 所属(和/英) 九州大学大学院システム情報科学研究院
Department of Electronics, Kyushu University
第 2 著者 氏名(和/英) 竹内 悠 / Hisashi TAKEUCHI
第 2 著者 所属(和/英) 九州大学大学院システム情報科学研究院
Department of Electronics, Kyushu University
第 3 著者 氏名(和/英) 権丈 淳 / Atsushi KENJO
第 3 著者 所属(和/英) 九州大学大学院システム情報科学研究院
Department of Electronics, Kyushu University
第 4 著者 氏名(和/英) 宮尾 正信 / Masanobu MIYAO
第 4 著者 所属(和/英) 九州大学大学院システム情報科学研究院
Department of Electronics, Kyushu University
発表年月日 2005/4/15
資料番号 ED2005-13,SDM2005-13,OME2005-13
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 21
ページ範囲 pp.-
ページ数 4
発行日