講演名 | 2005/4/15 Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般) 佐道 泰造, 竹内 悠, 権丈 淳, 宮尾 正信, |
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抄録(和) | 分子ビーム堆積法(FeとSiの同時供給)を用い, Si基板上におけるシリサイド強磁性体Fe_3Siのエピタキシャル成長を検討した.X線回折測定の結果, 堆積温度(30-300℃)でFe_3Si相が形成され, 堆積温度(400℃)では, FeSi相が形成されることが判った.高温堆積(400℃)でのFeSi相の形成は, 基板からのSi供給に起因する.透過型電子顕微鏡測定の結果, Si(111)基板上では, Fe_3Si(111)薄膜がエピタキシャル成長する事が判明した.一方, Si(100)基板上では, 多結晶Fe_3Siが形成された.Fe_3Si(111)薄膜の磁気特性を評価した結果, 180°周期の面内磁気異方性が観測された. |
抄録(英) | Epitaxial growth of ferromagnetic silicide Fe_3Si on Si was investigated. The Fe_3Si was formed by the molecular beam epitaxy technique with the substrate temperatures of 30-300℃. The results of XRD and TEM measurements suggested that Fe_3Si (111) layers were epitaxially grown on Si (111), although random Fe_3Si crystal grains were formed on Si (100). Magnetic properties of the formed layers were also discussed. |
キーワード(和) | シリサイド強磁性体 / 分子ビームエピタキシー法 |
キーワード(英) | Ferromagnetic silicide / Fe_3Si / Molecular beam epitaxy |
資料番号 | ED2005-13,SDM2005-13,OME2005-13 |
発行日 |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2005/4/15(から1日開催) |
開催地(和) | |
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テーマ(和) | |
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幹事補佐氏名(英) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | Si基板上におけるFe_3Si薄膜のエピタキシャル成長と評価(有機EL及び関連有機材料, 低温poly-Siと有機TFT技術と一般) |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Epitaxial Growth of Fe_3Si Thin Layer on Si Substrate |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | シリサイド強磁性体 / Ferromagnetic silicide |
キーワード(2)(和/英) | 分子ビームエピタキシー法 / Fe_3Si |
第 1 著者 氏名(和/英) | 佐道 泰造 / Taizoh SADOH |
第 1 著者 所属(和/英) | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
第 2 著者 氏名(和/英) | 竹内 悠 / Hisashi TAKEUCHI |
第 2 著者 所属(和/英) | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
第 3 著者 氏名(和/英) | 権丈 淳 / Atsushi KENJO |
第 3 著者 所属(和/英) | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
第 4 著者 氏名(和/英) | 宮尾 正信 / Masanobu MIYAO |
第 4 著者 所属(和/英) | 九州大学大学院システム情報科学研究院 Department of Electronics, Kyushu University |
発表年月日 | 2005/4/15 |
資料番号 | ED2005-13,SDM2005-13,OME2005-13 |
巻番号(vol) | vol.105 |
号番号(no) | 21 |
ページ範囲 | pp.- |
ページ数 | 4 |
発行日 |