| 講演名 | 2005/6/23 A Compact Modeling of Threshold Voltage Shift by a Quantum Confinement Effect in UTB MOSFET(Quantum Devices) , |
|---|---|
| PDFダウンロードページ | PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | A compact modeling of threshold voltage shift by a quantum confinement effect in ultra-thin body (UTB) MOSFET is studied theoretically. As a body thickness of UTB MOSFET reduces into the nano-scale regime, the threshold voltage shift by the quantum confinement effect becomes a big concern. The threshold voltage shift as a function of the body thickness (T_ |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | compact modeling / quantum confinement effect / threshold voltage shift / ultra-thin body (UTB) MOSFET / perturbation / quantum well |
| 資料番号 | ED2005-107,SDM2005-127 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2005/6/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
| 委員長氏名（英） | |
| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A Compact Modeling of Threshold Voltage Shift by a Quantum Confinement Effect in UTB MOSFET(Quantum Devices) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / compact modeling |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Cheon Hak Ku |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Dept. of EECS, Korea Advanced Institute of Science and Technology |
| 発表年月日 | 2005/6/23 |
| 資料番号 | ED2005-107,SDM2005-127 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 157 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |