| 講演名 | 2005/6/23 Fabrication and characterization of a in-plane gate single electron tunneling transistor(Quantum Devices) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | We report the fabrication and characterization of two different in-plane-gate transistors made from a GaAs/AlGaAs two-dimensional electron system. The first transistor is depletion mode and the second one is enhancement mode. These two modes are distinguished by the fabricated channel width. Transport measurements at room temperature (T) of these devices show the characteristics of depletion and enhancement mode of a field effect transistor. The drain current-gate bias (I_ |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | In-plane gate transistor / single electron tunneling |
| 資料番号 | ED2005-106,SDM2005-126 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and characterization of a in-plane gate single electron tunneling transistor(Quantum Devices) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / In-plane gate transistor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / S. H. Son |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Dept. of Electronics & Computer Engineering, Korea University:Nano Device Research Center, Korea Institute of Science and Technology:Institute of Quantum Information Processing and Systems, University of Seoul |
| 発表年月日 | 2005/6/23 |
| 資料番号 | ED2005-106,SDM2005-126 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 157 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |