| 講演名 | 2005/6/23 AFM/ケルビンプローブ法による孤立Siドット中の保持電荷間のクーロン相互作用の検証(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) 西谷 純一郎, 牧原 克典, ダルマ ユディ, 村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一, |
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| 抄録(和) | 厚さ約4nmのSiO_2/p-Si(100)上に低面密度に自己組織化形成したサイズの異なる半球状Si量子ドットにおいて、電子注入・放出によって生じる帯電状態をノンコンタクトのAFM/ケルビンプローブ(KFM)を用いて定量評価した。ドット高さ20nm以上のSiドットにおいて、電子注入および電子放出後、ドット周囲に比べ中心部の電位変化が少ない環状の表面電位分布が確認された。電位変化量から見積もったドット内の保持電荷量は複数個の電子または正孔に相当することから、保持電荷間のクーロン反発が環状の表面電位像が起源であると解釈できる。 |
| 抄録(英) | We have studied electronic charged states of hemispherical Si dots with different sizes formed on ～4nm-thick SiO_2/p-Si(100) using a non-contact AFM/Kelvin probe technique. After electron injection to and extraction from Si dots larger than 20nm in height, a characteristic surface potential image being torus-shape was observable in each of dots, namely the surface potential change caused by charging is smaller in the Si dot center than in the periphery. Since the observed surface potential change corresponds to a few electrons and holes retained in the dot, Coulombic repulsion among stored charges in the dot results in such a torus-shape potential image. |
| キーワード(和) | Si量子ドット / AFM/ケルビンプローブ |
| キーワード(英) | Silicon / Si dot / Quantum dot / LPCVD / AFM/Kelvin Probe / surface potential |
| 資料番号 | ED2005-105,SDM2005-125 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
| 副委員長氏名（英） | |
| 幹事氏名（和） | |
| 幹事氏名（英） | |
| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | AFM/ケルビンプローブ法による孤立Siドット中の保持電荷間のクーロン相互作用の検証(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Experimental Evidence of Coulombic Interaction among Stored Charges in Single Si Dot as Detected by AFM/Kelvin Probe Technique(Quantum Devices) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si量子ドット / Silicon |
| キーワード(2)（和/英） | AFM/ケルビンプローブ / Si dot |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西谷 純一郎 / J. Nishitani |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Advanced Sciences of Matterr, Hiroshima University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 牧原 克典 / K. Makihara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Advanced Sciences of Matterr, Hiroshima University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | ダルマ ユディ / Y. Darma |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Advanced Sciences of Matterr, Hiroshima University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 村上 秀樹 / H. Murakami |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Advanced Sciences of Matterr, Hiroshima University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 東 清一郎 / S. Higashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Advanced Sciences of Matterr, Hiroshima University |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 宮崎 誠一 / S. Miyazaki |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Advanced Sciences of Matterr, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2005/6/23 |
| 資料番号 | ED2005-105,SDM2005-125 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 157 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |