| 講演名 | 2005/6/23 Si量子ドット立体集積構造の発光ダイオードへの応用(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) 牧原 克典, 川口 恭裕, 村上 秀樹, 東 清一郎, 宮崎 誠一, |
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| 抄録(和) | モノシランガスの減圧CVD法を用いたSi量子ドットの自己組織化形成とリモートAr/H_2による表面処理、リモートO_2プラズマによるSiドット表面酸化を同ーチャンバ内で繰り返して、Si量子ドット立体集積構造を表面熱酸化したSi(100)基板上に形成した。上記ドライー環プロセスで形成したSiドット立体集積構造を活性層として、Auゲートダイオード構造を作製し、半透明Auゲートから電子注入、p-Si(100)基板から正孔注入することにより、可視-近赤外域で室温発光することを明らかにした。さらに、SiドットへのPドーピングにより、発光強度の増大を確認した。 |
| 抄録(英) | We have fabricated Si quantum dots (Si-QDs) multiply-stacked in SiO_2 matrix as an active layer for light emission by repeating a process sequence of Si dot formation from thermal decomposition of SiH_4 on SiO_2, surface oxidation by remote O_2-plasma and subsequent surface modification by remote Ar- and H_2-plasmas. By injection of electrons from semitransparent Au top electrode and simultaneously holes from the p-Si(100) substrate, light emission in the visible and near-infrared regions was observed at room temperature. The light intensity was linearly increased with forward current but no emission was detected under backward conditions In addition, in phosphorus doping to Si-QDs, a significant enhancement of the emission efficiency and a decrease in the threshold voltage are demonstrated. |
| キーワード(和) | ナノクリスタル / 導電性探針 / 局所電気伝導 |
| キーワード(英) | Si quantum dots / Phosphorous doping / Multiple-stacked structure / Electroluminessence / Light emitting diode |
| 資料番号 | ED2005-104,SDM2005-124 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/23(から1日開催) |
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| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | Si量子ドット立体集積構造の発光ダイオードへの応用(Quantum Devices, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005)) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | The Application of Multiple-Stacked Si Quantum Dots to Light Emitting Diodes(Quantum Devices) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノクリスタル / Si quantum dots |
| キーワード(2)（和/英） | 導電性探針 / Phosphorous doping |
| キーワード(3)（和/英） | 局所電気伝導 / Multiple-stacked structure |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 牧原 克典 / Katsunori Makihara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Advanced Sciences of Matterr, Hiroshima University |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 川口 恭裕 / Yoshihiro Kawaguchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Advanced Sciences of Matterr, Hiroshima University |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 村上 秀樹 / Hideki Murakami |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Advanced Sciences of Matterr, Hiroshima University |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 東 清一郎 / Seiichiro Higashi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Advanced Sciences of Matterr, Hiroshima University |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 広島大学大学院先端物質科学研科 Department of Electrical Engineering, Graduate School of Advanced Sciences of Matterr, Hiroshima University |
| 発表年月日 | 2005/6/23 |
| 資料番号 | ED2005-104,SDM2005-124 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 157 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |