講演名 2005/6/23
Orbital quantum bits based on the inter-valley interactions in Si quantum dots(Quantum Devices)
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抄録(和)
抄録(英) In this paper, current status of experimental and theoretical work on quantum bits based on the semiconductor quantum dots in the University of Seoul will be presented. A new proposal utilizing the multi-valley quantum state transitions in a Si quantum dot as a possible candidate for a quantum bit with a long decoherence time will be also given. Qubits are the multi-valley symmetric and anti-symmetric orbitals. Evolution of these orbitals is controlled by an external electric field, which turns on and off the inter-valley interactions. Initialization is achieved by turning on the inter-valley Hamiltonian to let the system settle down to the symmetric orbital state. Estimates of the decoherence time is made for the longitudinal acoustic phonon process.
キーワード(和)
キーワード(英) Si Quantum dots / Obital quantum bits / Inter-valley interactions
資料番号 ED2005-103,SDM2005-123
発行日

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2005/6/23(から1日開催)
開催地(和)
開催地(英)
テーマ(和)
テーマ(英)
委員長氏名(和)
委員長氏名(英)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和)
幹事氏名(英)
幹事補佐氏名(和)
幹事補佐氏名(英)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Silicon Device and Materials (SDM)
本文の言語 ENG
タイトル(和)
サブタイトル(和)
タイトル(英) Orbital quantum bits based on the inter-valley interactions in Si quantum dots(Quantum Devices)
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) / Si Quantum dots
第 1 著者 氏名(和/英) / D. Ahn
第 1 著者 所属(和/英)
Institute of Quantum Information Processing and Systems, University of Seoul
発表年月日 2005/6/23
資料番号 ED2005-103,SDM2005-123
巻番号(vol) vol.105
号番号(no) 157
ページ範囲 pp.-
ページ数 5
発行日