| 講演名 | 2005/6/23 Advanced Poly-Si TFT with Fin-Like Channels(Thin Film Devices and Systems) , |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | The advanced LTPS TFT with 3-Dimensional channels of Fin-Like profile has been demonstrated via the simple Excimer Laser Annealing method and special wide undercut structure without any additional patterning process cost. This approach provides a much narrow Fin-Like channels in devices with high ratio of film thickness to the width and also a high quality poly-silicon film in channels such as smooth surface, tight grain arrangement and medium grain size etc. Due to the stronger electrical stress on the channel by the multi-gate effect and the better film in channel, the new device fabricated on the quartz substrate with Fin-Like channel structure show good characteristics of the highest mobility up to 395cm^2/V・sec, the sub-threshold voltage slope below 400mV/dec and the On-Off current ratio higher than 10^6. |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | Poly-Si / thin-film-transistors(TFTs) / 3-Dimensional(3D) / Fin / excimer laser annealing(ELA) |
| 資料番号 | ED2005-101,SDM2005-121 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/23(から1日開催) |
| 開催地（和） | |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 副委員長氏名（和） | |
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| 幹事氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Advanced Poly-Si TFT with Fin-Like Channels(Thin Film Devices and Systems) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | / Poly-Si |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | / Huaxiang Yin |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Samsung Advanced Institute of Technology, Kihung-Eup Yongin-Si |
| 発表年月日 | 2005/6/23 |
| 資料番号 | ED2005-101,SDM2005-121 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 157 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |