| 講演名 | 2005/6/23 プラズマ・ゲート酸化が多結晶シリコンTFTの特性に与える効果(Thin Film Devices and Systems, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005) 新 千弘, 馬場 昭好, 浅野 種正, |
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| 抄録(和) | プラズマ酸化でゲート酸化膜を形成した多結晶シリコンTFTの動作特性を、熱酸化でゲート酸化膜を形成したものと比較して調査した。多結晶シリコンは固相結晶化法で作製したものを用いた。プラズマ酸化は、純粋酸素ガスを2.45GHzのマイクロ波で励起し、加熱温度400℃で行った。この低温でのプラズマ酸化は、拡散律速で酸化が進行するため、反応律速で酸化が進行する高温(900℃)での熱酸化に比べてゲート酸化膜/多結晶シリコン界面が平滑になる。TFT特性の温度依存性を調査した結果、プラズマ酸化では界面の平滑化の効果に加えて、多結晶シリコン活性層中の電気的に活性な結晶欠陥が不活性化するという効果があることがわかった。これらの効果で、プラズマ酸化でゲート酸化膜を形成した多結晶シリコンnチャネルTFTは、熱酸化でゲート酸化膜を形成したTFTに比べて2倍以上の高いキャリヤ移動度を示すことがわかった。 |
| 抄録(英) | Electrical characteristic of poly-crystalline Si (poly-Si) TFT fabricated by using low-temperature plasma oxidation for gate oxide formation has been investigated by comparing the characteristic with those of poly-Si TFT whose gate oxide was formed by thermal oxidation. The plasma oxidation was performed at 400℃ by exciting pure-oxygen plasma with 2.45GHz microwave. It has been found that the plasma oxidation, owing to its diffusion-limited oxidation kinetics, is able to form gate oxide whose gate-oxide/poly-Si interface roughness is much smaller than the high-temperature (900℃) thermal oxidation where the oxidation proceeds under reaction limited kinetics. Investigation of operation-temperature dependence of TFT characteristics has indicated that electrically active defects in poly-Si TFT are passivated by applying the plasma oxidation. Owing to these two effects, reduced interface roughness and passivation of electrically active defects in poly-Si channel, n-channel TFT fabricated by using plasma oxidation shows twice as large effective carrier mobility as TFT whose gate oxide is formed by conventional thermal oxidation. |
| キーワード(和) | 多結晶シリコン / 薄膜トランジスタ / プラズマ酸化 / 低温酸化 / ゲート酸化膜 |
| キーワード(英) | poly-Si / TFT / thin film transistor / plasma oxidation / low temperature oxidation / gate oxide |
| 資料番号 | ED2005-100,SDM2005-120 |
| 発行日 |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2005/6/23(から1日開催) |
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| テーマ（和） | |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | |
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| 幹事補佐氏名（和） | |
| 幹事補佐氏名（英） | |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Silicon Device and Materials (SDM) |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | プラズマ・ゲート酸化が多結晶シリコンTFTの特性に与える効果(Thin Film Devices and Systems, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Plasma Gate Oxidation on Performance of Poly-Si TFT(Thin Film Devices and Systems) |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶シリコン / poly-Si |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / TFT |
| キーワード(3)（和/英） | プラズマ酸化 / thin film transistor |
| キーワード(4)（和/英） | 低温酸化 / plasma oxidation |
| キーワード(5)（和/英） | ゲート酸化膜 / low temperature oxidation |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 新 千弘 / Chihiro SHIN |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 馬場 昭好 / Akiyoshi BABA |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浅野 種正 / Tanemasa ASANO |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州工業大学マイクロ化総合技術センター Center for Microelectronic Systems, Kyushu Institute of Technology |
| 発表年月日 | 2005/6/23 |
| 資料番号 | ED2005-100,SDM2005-120 |
| 巻番号（vol） | vol.105 |
| 号番号（no） | 157 |
| ページ範囲 | pp.- |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | |